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龍圖騰網(wǎng)恭喜三星電子株式會(huì)社申請(qǐng)的專利磁存儲(chǔ)器裝置獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111211220B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201910863772.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N50/10；該發(fā)明授權(quán)磁存儲(chǔ)器裝置是由李吉鎬;高寬協(xié);宋胤宗設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-09-12向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本磁存儲(chǔ)器裝置在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：提供了磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器MRAM裝置。MRAM裝置可包括：磁隧道結(jié)MTJ，其包括在豎直方向上按次序堆疊的自由層和釘扎層；以及導(dǎo)電層，其鄰近于MTJ的自由層。導(dǎo)電層可包括水平部分以及遠(yuǎn)離水平部分突出并且在垂直于豎直方向的水平方向上彼此間隔開(kāi)的第一突出部分和第二突出部分。自由層的一側(cè)和水平部分的一側(cè)可形成筆直的一側(cè)。

本發(fā)明授權(quán)磁存儲(chǔ)器裝置在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置，包括：磁隧道結(jié)，其包括在豎直方向上按次序堆疊的自由層和釘扎層；以及導(dǎo)電層，其鄰近于所述磁隧道結(jié)的自由層，其中，所述導(dǎo)電層包括：水平部分；以及第一突出部分和第二突出部分，其遠(yuǎn)離所述水平部分突出，并且在垂直于所述豎直方向的水平方向上彼此間隔開(kāi)，其中，所述自由層的一側(cè)和所述水平部分的一側(cè)形成筆直的一側(cè)，其中，所述第一突出部分包括面對(duì)所述第二突出部分的第一側(cè)和與所述第一突出部分的第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)，并且其中，在平面圖中，所述第一突出部分的第二側(cè)相對(duì)于所述水平部分的所述一側(cè)朝著所述第二突出部分凹進(jìn)。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人三星電子株式會(huì)社，其通訊地址為：韓國(guó)京畿道；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。