恭喜三星電子株式會社李吉鎬獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜三星電子株式會社申請的專利磁存儲器裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111211220B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201910863772.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N50/10；該發(fā)明授權(quán)磁存儲器裝置是由李吉鎬;高寬協(xié);宋胤宗設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-09-12向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本磁存儲器裝置在說明書摘要公布了：提供了磁隨機存取存儲器MRAM裝置。MRAM裝置可包括：磁隧道結(jié)MTJ，其包括在豎直方向上按次序堆疊的自由層和釘扎層；以及導(dǎo)電層，其鄰近于MTJ的自由層。導(dǎo)電層可包括水平部分以及遠離水平部分突出并且在垂直于豎直方向的水平方向上彼此間隔開的第一突出部分和第二突出部分。自由層的一側(cè)和水平部分的一側(cè)可形成筆直的一側(cè)。
本發(fā)明授權(quán)磁存儲器裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種磁隨機存取存儲器裝置，包括：磁隧道結(jié)，其包括在豎直方向上按次序堆疊的自由層和釘扎層；以及導(dǎo)電層，其鄰近于所述磁隧道結(jié)的自由層，其中，所述導(dǎo)電層包括：水平部分；以及第一突出部分和第二突出部分，其遠離所述水平部分突出，并且在垂直于所述豎直方向的水平方向上彼此間隔開，其中，所述自由層的一側(cè)和所述水平部分的一側(cè)形成筆直的一側(cè)，其中，所述第一突出部分包括面對所述第二突出部分的第一側(cè)和與所述第一突出部分的第一側(cè)相對的第二側(cè)，并且其中，在平面圖中，所述第一突出部分的第二側(cè)相對于所述水平部分的所述一側(cè)朝著所述第二突出部分凹進。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準(zhǔn)確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當(dāng)日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔(dān)任何法律責(zé)任的依據(jù)或者憑證。
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