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龍圖騰網恭喜英飛凌科技股份有限公司申請的專利功率半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111326575B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911282734.2，技術領域涉及：H10D12/00；該發明授權功率半導體器件是由R.巴布爾斯克;M.耶利內克;F-J.尼德諾斯泰德;F.D.普菲爾施;C.P.桑多;H-J.舒爾策設計研發完成，并于2019-12-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本功率半導體器件在說明書摘要公布了：功率半導體器件包括有前側和背側的半導體本體，其包括第一導電類型的漂移區；第一導電類型的場停止區，布置在漂移區和背側間且有比漂移區更高摻雜劑濃度的摻雜劑，通過經由背側的質子注入創建；和第一導電類型的發射極調整區，布置在場停止區和背側間且有比場停止區更高摻雜劑濃度的摻雜劑。場停止區包括呈現第一局部最大值和第一局部最小值的摻雜劑濃度分布，第一局部最小值布置在第一局部最大值和場停止區的摻雜劑濃度分布的另一局部最大值間和或第一局部最大值和發射極調整區的摻雜劑濃度分布的最大值間，第一局部最大值處的摻雜劑濃度高到第一局部最小值處的摻雜劑濃度的至多三倍，半導體本體是或包括有至少1E17cm?3的間隙氧濃度的半導體襯底。

本發明授權功率半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種功率半導體器件1，包括具有前側10-1和背側10-2的半導體本體10，其中，所述半導體本體10包括：-第一導電類型的漂移區100；-第一導電類型的場停止區105，所述場停止區105被布置在所述漂移區100與所述背側10-2之間并且具有以比所述漂移區100更高的摻雜劑濃度的第一導電類型的摻雜劑，其中，所述場停止區105至少部分地通過經由所述背側10-2的質子的注入而創建；以及-第一導電類型的發射極調整區106，所述發射極調整區106被布置在所述場停止區105與所述背側10-2之間，并且具有以比所述場停止區105更高的摻雜劑濃度的第一導電類型的摻雜劑；其中，所述場停止區105在沿著從所述背側10-2指向所述前側10-1的豎直方向Z的截面中包括呈現出第一局部最大值1051和第一局部最小值1052的第一導電類型的摻雜劑的摻雜劑濃度分布，所述第一局部最小值1052被布置在所述第一局部最大值1051與所述場停止區105的所述摻雜劑濃度分布的另一局部最大值1053、1055、1057之間和或在所述第一局部最大值1051與所述發射極調整區106的摻雜劑濃度分布的最大值之間，其中，第一局部最大值1051處的摻雜劑濃度高到第一局部最小值1052處的摻雜劑濃度的至多三倍，以及其中，所述半導體本體10是或者包括具有至少1E17cm-3的間隙氧濃度的半導體襯底。

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