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龍圖騰網(wǎng)獲悉華邦電子股份有限公司申請的專利用于光刻工藝的識(shí)別方法與半導(dǎo)體元件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113871290B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010611718.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/027；該發(fā)明授權(quán)用于光刻工藝的識(shí)別方法與半導(dǎo)體元件是由江知優(yōu)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-06-30向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本用于光刻工藝的識(shí)別方法與半導(dǎo)體元件在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種用在光刻工藝的識(shí)別方法與半導(dǎo)體元件。所述方法包括在半導(dǎo)體襯底上形成掩膜層，再圖案化所述掩膜層，以在所述元件區(qū)內(nèi)形成密集線圖案，并在元件區(qū)與周邊區(qū)的界面區(qū)域形成假密集線圖案，其中第一條與第三條假密集線圖案之間設(shè)有至少一連接部，且第二條假密集線圖案在連接部不連續(xù)并與連接部相隔開。在半導(dǎo)體襯底上形成覆蓋周邊區(qū)的光刻膠層，并根據(jù)光刻膠層的邊緣至最接近的假密集線圖案的距離以及連接部的寬度來判定所述光刻膠層的著陸位置是否正確。

本發(fā)明授權(quán)用于光刻工藝的識(shí)別方法與半導(dǎo)體元件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于光刻工藝的識(shí)別方法，其特征在于，包括：在半導(dǎo)體襯底上形成掩膜層，所述半導(dǎo)體襯底具有元件區(qū)與周邊區(qū)；圖案化所述掩膜層，以于所述元件區(qū)內(nèi)形成數(shù)條密集線圖案，并于所述元件區(qū)與所述周邊區(qū)的界面區(qū)域形成數(shù)條假密集線圖案，其中第一條所述假密集線圖案與第三條所述假密集線圖案之間設(shè)有至少一連接部，且第二條所述假密集線圖案在所述至少一連接部不連續(xù)并與所述至少一連接部相隔開；在所述半導(dǎo)體襯底上形成覆蓋所述周邊區(qū)的光刻膠層；以及根據(jù)所述光刻膠層的邊緣至最接近的所述假密集線圖案的距離以及所述至少一連接部的寬度來判定所述光刻膠層的著陸位置是否正確。

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