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龍圖騰網(wǎng)獲悉旺宏電子股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體裝置及其陣列布局及包括其的封裝結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113097214B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010673040.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B43/10；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及其陣列布局及包括其的封裝結(jié)構(gòu)是由呂函庭設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-07-14向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體裝置及其陣列布局及包括其的封裝結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體裝置及其陣列布局及包括其的封裝結(jié)構(gòu)，其中，半導(dǎo)體裝置包括一疊層以及多個存儲器串行。疊層形成于一襯底上，疊層包括交替疊層的多個導(dǎo)電層及多個絕緣層。存儲器串行沿著一第一方向穿過疊層，各個存儲器串行包括一通道層、一存儲器結(jié)構(gòu)、一第一導(dǎo)電柱及一第二導(dǎo)電柱。通道層沿著第一方向延伸。存儲器結(jié)構(gòu)設(shè)置于疊層與通道層之間。第一導(dǎo)電柱及第二導(dǎo)電柱沿著第一方向延伸且彼此電性隔離，并分別耦接于通道層的一第一位置及一第二位置，第一位置相對于第二位置，其中存儲器結(jié)構(gòu)環(huán)繞第一位置而暴露第二位置。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及其陣列布局及包括其的封裝結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置，其中，包括：一疊層，形成于一襯底上，該疊層包括交替疊層的多個導(dǎo)電層及多個絕緣層；以及多個存儲器串行，沿著一第一方向穿過該疊層，各該存儲器串行包括：一通道層，沿著該第一方向延伸；一存儲器結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該疊層與該通道層之間；以及一第一導(dǎo)電柱及一第二導(dǎo)電柱，沿著該第一方向延伸且彼此電性隔離，并分別耦接于該通道層的一第一位置及一第二位置，該第一位置相對于該第二位置，其中該存儲器結(jié)構(gòu)環(huán)繞該第一位置而暴露該第二位置；該通道層具有一環(huán)形內(nèi)表面以及一環(huán)形外表面，該第一導(dǎo)電柱及該第二導(dǎo)電柱耦接于該環(huán)形內(nèi)表面。

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