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龍圖騰網恭喜硅存儲技術股份有限公司申請的專利形成具有存儲器單元、高壓器件和邏輯器件的設備的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114256251B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010993707.2，技術領域涉及：H10B41/30；該發明授權形成具有存儲器單元、高壓器件和邏輯器件的設備的方法是由王春明;宋國祥;邢精成;孫士禎;X·劉;N·多設計研發完成，并于2020-09-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本形成具有存儲器單元、高壓器件和邏輯器件的設備的方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種在襯底上形成存儲器單元、HV器件和邏輯器件的方法，該方法包括：使襯底的存儲器單元區域和HV器件區域的上表面凹陷；在存儲器單元區域和HV器件區域中形成多晶硅層；在存儲器單元區域和HV器件區域中形成穿過第一多晶硅層并進入硅襯底的第一溝槽；用絕緣材料填充第一溝槽；形成到邏輯器件區域中的襯底中的第二溝槽以形成向上延伸的鰭片；移除存儲器單元區域中的多晶硅層的部分以形成浮置柵極；在存儲器單元區域中形成擦除柵極和字線柵極，在HV器件區域中形成HV柵極，以及在邏輯器件區域中形成來自第二多晶硅層的虛擬柵極；以及用纏繞在鰭片周圍的金屬柵極替換虛擬柵極。

本發明授權形成具有存儲器單元、高壓器件和邏輯器件的設備的方法在權利要求書中公布了：1.一種形成設備的方法，所述方法包括：提供硅襯底，所述硅襯底帶有上表面并且具有第一區域、第二區域和第三區域；在所述襯底的所述第一區域和所述第二區域中使所述上表面凹陷，但在所述襯底的所述第三區域中不使所述上表面凹陷；形成第一多晶硅層，所述第一多晶硅層位于所述第一區域和所述第二區域中的所述上表面上方并且與所述上表面絕緣；使用至少第一硅蝕刻形成第一溝槽，所述第一溝槽穿過所述第一多晶硅層并進入所述第一區域和所述第二區域中而不是所述第三區域中的所述硅襯底中；用絕緣材料填充所述第一溝槽；在所述第一溝槽的所述填充之后，使用至少第二硅蝕刻形成進入所述第三區域中的所述硅襯底中的第二溝槽，以形成所述硅襯底的向上延伸的鰭片，所述向上延伸的鰭片具有向上延伸并終止于頂表面處的一對側表面；在所述鰭片的所述形成之后，在所述第一區域中的所述第一多晶硅層上方形成一對材料塊，其中所述一對材料塊由多晶硅或絕緣材料形成；移除所述第一區域中的所述第一多晶硅層的部分，以形成所述第一多晶硅層的一對浮置柵極，所述浮置柵極各自設置在所述一對材料塊中的一個材料塊下方；執行第一注入，以在所述一對浮置柵極之間形成所述第一區域中的所述硅襯底中的第一源極區；在所述第一區域、所述第二區域和所述第三區域中的所述硅襯底上方形成第二多晶硅層；移除所述第二多晶硅層的部分，以形成：所述第二多晶硅層的第一多晶硅塊，所述第一多晶硅塊設置在所述第一區域中的所述第一源極區上方并且與所述第一源極區絕緣，所述第二多晶硅層的第二多晶硅塊，所述第二多晶硅塊設置在所述硅襯底上方并且與所述硅襯底絕緣，并且與所述第一區域中的所述一對浮置柵極中的一個浮置柵極相鄰，所述第二多晶硅層的第三多晶硅塊，所述第三多晶硅塊設置在所述硅襯底上方并且與所述硅襯底絕緣，并且與所述第一區域中的所述一對浮置柵極中的另一個浮置柵極相鄰，所述第二多晶硅層的第四多晶硅塊，所述第四多晶硅塊設置在所述第二區域中的所述硅襯底上方并且與所述硅襯底絕緣，和所述第二多晶硅層的第五多晶硅塊，所述第五多晶硅塊設置在所述第三區域中的所述鰭片的所述一對側表面和所述頂表面上方并且與所述一對側表面和所述頂表面絕緣；執行一次或多次注入，以形成：位于所述襯底的所述第一區域中的與所述第二多晶硅塊相鄰的第一漏極區，位于所述襯底的所述第一區域中的與所述第三多晶硅塊相鄰的第二漏極區，位于所述襯底的所述第二區域中的與所述第四多晶硅塊相鄰的第二源極區，位于所述襯底的所述第二區域中的與所述第四多晶硅塊相鄰的第三漏極區，位于所述鰭片中的與所述第五多晶硅塊相鄰的第三源極區，和位于所述鰭片中的與所述第五多晶硅塊相鄰的第四漏極區；移除所述第五多晶硅塊；在所述第三區域中沿所述鰭片的所述一對側表面和所述頂表面形成高K材料層；以及在所述第三區域中的所述高K材料層上形成金屬材料塊，使得所述金屬塊沿所述鰭片的所述一對側表面和所述頂表面延伸并與所述一對側表面和所述頂表面絕緣。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人硅存儲技術股份有限公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。