恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司賴蓓盈獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體器件中的柵極結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112582345B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011048544.7，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權半導體器件中的柵極結構是由賴蓓盈;許家瑋;侯承浩;于雄飛;徐志安設計研發完成，并于2020-09-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件中的柵極結構在說明書摘要公布了：本公開涉及半導體器件中的柵極結構。一種方法包括在半導體鰭上方并沿著半導體鰭的側壁沉積高k柵極電介質層。該方法還包括在高k柵極電介質層上方沉積n型功函數金屬層，并且通過n型功函數金屬層對高k柵極電介質層執行鈍化處理。鈍化處理包括遠程等離子體工藝。該方法該包括在n型功函數金屬層上方沉積填充金屬，以在高k柵極電介質層上方形成金屬柵極堆疊。該金屬柵極堆疊包括n型功函數金屬層和填充金屬。
本發明授權半導體器件中的柵極結構在權利要求書中公布了：1.一種制造半導體器件的方法，包括：在半導體鰭上方并沿著所述半導體鰭的側壁沉積高k柵極電介質層；在所述高k柵極電介質層上方沉積n型功函數金屬層；執行鈍化處理以通過所述n型功函數金屬層將鈍化物質注入到所述高k柵極電介質層，其中，所述鈍化處理包括遠程等離子體工藝，其中，所述鈍化處理在所述高k柵極電介質層和所述n型功函數金屬層中形成包括所述鈍化物質的鈍化區域，并且其中，所述鈍化區域在所述半導體鰭的側壁上的第一平均厚度與所述鈍化區域在所述半導體鰭的頂表面上的第二平均厚度的比率在0.8：1至0.9：1的范圍內；以及在所述n型功函數金屬層上方沉積填充金屬，以在所述高k柵極電介質層上方形成金屬柵極堆疊，所述金屬柵極堆疊包括所述n型功函數金屬層和所述填充金屬。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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