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龍圖騰網(wǎng)恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體器件中的柵極結構獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112582345B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產權局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202011048544.7，技術領域涉及：H10D30/62；該發(fā)明授權半導體器件中的柵極結構是由賴蓓盈;許家瑋;侯承浩;于雄飛;徐志安設計研發(fā)完成，并于2020-09-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件中的柵極結構在說明書摘要公布了：本公開涉及半導體器件中的柵極結構。一種方法包括在半導體鰭上方并沿著半導體鰭的側壁沉積高k柵極電介質層。該方法還包括在高k柵極電介質層上方沉積n型功函數(shù)金屬層，并且通過n型功函數(shù)金屬層對高k柵極電介質層執(zhí)行鈍化處理。鈍化處理包括遠程等離子體工藝。該方法該包括在n型功函數(shù)金屬層上方沉積填充金屬，以在高k柵極電介質層上方形成金屬柵極堆疊。該金屬柵極堆疊包括n型功函數(shù)金屬層和填充金屬。

本發(fā)明授權半導體器件中的柵極結構在權利要求書中公布了：1.一種制造半導體器件的方法，包括：在半導體鰭上方并沿著所述半導體鰭的側壁沉積高k柵極電介質層；在所述高k柵極電介質層上方沉積n型功函數(shù)金屬層；執(zhí)行鈍化處理以通過所述n型功函數(shù)金屬層將鈍化物質注入到所述高k柵極電介質層，其中，所述鈍化處理包括遠程等離子體工藝，其中，所述鈍化處理在所述高k柵極電介質層和所述n型功函數(shù)金屬層中形成包括所述鈍化物質的鈍化區(qū)域，并且其中，所述鈍化區(qū)域在所述半導體鰭的側壁上的第一平均厚度與所述鈍化區(qū)域在所述半導體鰭的頂表面上的第二平均厚度的比率在0.8：1至0.9：1的范圍內；以及在所述n型功函數(shù)金屬層上方沉積填充金屬，以在所述高k柵極電介質層上方形成金屬柵極堆疊，所述金屬柵極堆疊包括所述n型功函數(shù)金屬層和所述填充金屬。

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