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龍圖騰網(wǎng)獲悉青芯半導(dǎo)體科技(上海)有限公司申請的專利Flash模擬電路及其操作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113326185B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110540646.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F11/3698；該發(fā)明授權(quán)Flash模擬電路及其操作方法是由孫向向;江國范設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-05-18向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本Flash模擬電路及其操作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種Flash模擬電路及其操作方法，包括：Flash控制邏輯單元，被配置為將片內(nèi)Flash操作命令提供至片內(nèi)Flash模擬單元；片內(nèi)Flash模擬單元，被配置為等效替代片內(nèi)Flash，根據(jù)片內(nèi)Flash操作命令，將BLOCKRAM模塊作為片內(nèi)Flash，通過控制邏輯對BLOCKRAM模塊進(jìn)行模擬行為，得到片內(nèi)Flash行為模擬效應(yīng)，以及將片內(nèi)Flash行為模擬效應(yīng)提供至Flash控制邏輯單元。

本發(fā)明授權(quán)Flash模擬電路及其操作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種Flash模擬電路，其特征在于，包括：Flash控制邏輯單元，被配置為將片內(nèi)Flash操作命令提供至片內(nèi)Flash模擬單元；以及片內(nèi)Flash模擬單元，被配置為執(zhí)行下列動(dòng)作：采用BLOCKRAM模塊等效替代片內(nèi)Flash，根據(jù)片內(nèi)Flash操作命令，將BLOCKRAM模塊作為片內(nèi)Flash，對BLOCKRAM模塊進(jìn)行模擬行為，以得到片內(nèi)Flash行為模擬效應(yīng)；以及將片內(nèi)Flash行為模擬效應(yīng)提供至Flash控制邏輯單元。

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