恭喜長鑫存儲技術有限公司郭帥獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利一種半導體器件的制備方法及半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116053196B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111264789.8，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權一種半導體器件的制備方法及半導體器件是由郭帥設計研發完成，并于2021-10-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體器件的制備方法及半導體器件在說明書摘要公布了：本申請實施例公開了一種半導體器件的制備方法，所述方法包括：提供襯底，襯底包括存儲陣列區，存儲陣列區上形成有多條位線，多條位線之間填充有第一絕緣材料，第一絕緣材料內具有多條與位線交叉的溝槽；其中，存儲陣列區包括內部區域以及位于內部區域外的邊界區域；在溝槽內填充第二絕緣材料形成間隔線，第二絕緣材料還沉積在位線、間隔線及第一絕緣材料的上方構成蓋帽材料層；執行刻蝕工藝，形成節點接觸孔，包括：刻蝕蓋帽材料層形成蓋帽層，蓋帽層覆蓋位于邊界區域的位線、間隔線及第一絕緣材料；以蓋帽層為掩膜，刻蝕移除內部區域的第一絕緣材料，形成節點接觸孔。
本發明授權一種半導體器件的制備方法及半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：提供襯底，所述襯底包括存儲陣列區，所述存儲陣列區上形成有多條位線，多條所述位線之間填充有第一絕緣材料，所述第一絕緣材料內具有多條與所述位線交叉的溝槽；其中，所述存儲陣列區包括內部區域以及位于所述內部區域外的邊界區域；在所述溝槽內填充第二絕緣材料形成間隔線，所述第二絕緣材料還沉積在所述位線、所述間隔線及所述第一絕緣材料的上方構成蓋帽材料層；執行刻蝕工藝，形成節點接觸孔，包括：刻蝕所述蓋帽材料層形成蓋帽層，所述蓋帽層覆蓋位于所述邊界區域的所述位線、所述間隔線及所述第一絕緣材料；以所述蓋帽層為掩膜，刻蝕移除所述內部區域的所述第一絕緣材料，形成所述節點接觸孔。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號