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龍圖騰網(wǎng)恭喜上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利一種PPM電容器及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114335342B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202111561856.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D1/68；該發(fā)明授權(quán)一種PPM電容器及其制備方法是由湯志林;王卉;付永琴;曹子貴設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-12-16向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本一種PPM電容器及其制備方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提供一種PPM電容器及其制備方法，包括：襯底，所述襯底上形成有支撐層；PIP電容結(jié)構(gòu)，包括第一極板、第一介電層及第二極板，所述第一極板位于所述襯底上并包裹所述支撐層以使所述第一極板呈凸字形，所述第一介電層及所述第二極板依次位于所述第一極板的凸頂面上；第二介電層，位于所述第二極板上且覆蓋所述第二極板的部分頂面；第三極板，位于所述第二介電層上。通過(guò)增加所述第三極板，使所述第三極板與所述第二極板形成的電容與所述PIP電容結(jié)構(gòu)并聯(lián)，在不增加電容器尺寸的前提下增加所述電容器的電容值。

本發(fā)明授權(quán)一種PPM電容器及其制備方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種PPM電容器的制備方法，其特征在于，包括：提供襯底，在所述襯底上形成支撐層，所述支撐層覆蓋部分所述襯底；在所述襯底上形成PIP電容結(jié)構(gòu)，所述PIP電容結(jié)構(gòu)包括第一極板、第一介電層及第二極板，所述第一極板位于所述襯底上并包裹所述支撐層以使所述第一極板呈凸字形，所述第一介電層及所述第二極板依次覆蓋所述第一極板的凸頂面上；在所述第二極板上形成第二介電層，所述第二介電層覆蓋所述第二極板的部分頂面；在所述第二介電層上形成第三極板，所述第三極板覆蓋所述第二介電層；在形成所述第二介電層之前，形成所述PIP電容結(jié)構(gòu)之后，還包括：在所述襯底上形成第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層覆蓋所述PIP電容結(jié)構(gòu)及所述襯底；對(duì)所述第一介質(zhì)層進(jìn)行平坦化工藝，直至露出所述第二極板的上表面；形成所述第二介電層及所述第三極板的步驟包括：在所述第一介質(zhì)層上依次形成第二介電層和第三極板，所述第二介電層覆蓋所述第一介質(zhì)層及所述第二極板，所述第三極板覆蓋所述第二介電層；刻蝕除去部分所述第二介電層及所述第三極板，剩余的所述第二介電層覆蓋所述第二極板的部分頂面，剩余的所述第三極板覆蓋所述第二極板。

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