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龍圖騰網恭喜浙江大學申請的專利一種低寄生電感和高散熱效率的埋入式功率模塊封裝結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114823644B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210221535.6，技術領域涉及：H01L25/07；該發明授權一種低寄生電感和高散熱效率的埋入式功率模塊封裝結構是由孫欣楠;陳敏;李博棟;汪小青;張東博設計研發完成，并于2022-03-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種低寄生電感和高散熱效率的埋入式功率模塊封裝結構在說明書摘要公布了：本發明涉及功率半導體器件封裝技術領域，旨在提供一種低寄生電感和高散熱效率的埋入式功率模塊封裝結構。包括由上至下依次布置的頂部絕緣層、頂部金屬圖案層、焊料層、器件層、底部金屬圖案層和底部絕緣層；器件層包括至少兩個MOSFET功率芯片和若干個金屬連接塊，并以絕緣填料填充于MOSFET功率芯片和金屬連接塊之間，使其相互隔離；功率芯片的漏極通過焊料層與頂部金屬圖案層相接，其源極和柵極分別與底部金屬圖案層電連接；金屬連接塊的上下表面分別與頂部金屬圖案層和底部金屬圖案層電連接。本發明通過將功率芯片嵌入于絕緣材料內，降低了功率模塊的封裝體積和重量，提升了模塊的功率密度。無需使用鍵合線和電極引線，有效減小了功率模塊的寄生電感。

本發明授權一種低寄生電感和高散熱效率的埋入式功率模塊封裝結構在權利要求書中公布了：1.一種低寄生電感和高散熱效率的埋入式功率模塊封裝結構，其特征在于：包括由上至下依次布置的頂部絕緣層9、頂部金屬圖案層4、焊料層6、器件層8、底部金屬圖案層5和底部絕緣層10；頂部絕緣層9和底部絕緣層10均具有局部開口，頂部金屬圖案層4和底部金屬圖案層5在開口位置露出的部分分別作為頂部電極端子11和底部電極端子12；所述器件層8包括至少兩個MOSFET功率芯片2和若干個金屬連接塊3，并以絕緣填料填充于MOSFET功率芯片2和金屬連接塊3之間，使其相互隔離；所述MOSFET功率芯片2的漏極203通過焊料層6與頂部金屬圖案層4相接，其源極201和柵極202分別與底部金屬圖案層5電連接；所述金屬連接塊3的上下表面分別與頂部金屬圖案層4和底部金屬圖案層5電連接。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江大學，其通訊地址為：310058 浙江省杭州市西湖區余杭塘路866號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。