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龍圖騰網恭喜長江存儲科技有限責任公司申請的專利三維存儲器及其制備方法、存儲系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114664861B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210266451.4，技術領域涉及：H10B43/50；該發明授權三維存儲器及其制備方法、存儲系統是由張坤;周文犀;夏志良;霍宗亮設計研發完成，并于2022-03-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本三維存儲器及其制備方法、存儲系統在說明書摘要公布了：本公開提供了一種三維存儲器及其制備方法、存儲系統，涉及半導體芯片領域，旨在減小陣列器件與外圍器件之間的未對準誤差以及降低工藝難度。該三維存儲器的制備方法包括：在襯底的第一側形成疊層結構；形成貫穿疊層結構且延伸入襯底的隔槽，并在隔槽內填充犧牲材料；在疊層結構遠離襯底的一側形成多個導電結構；提供外圍電路，將外圍電路與多個導電結構中的至少一個導電結構鍵合；去除至少部分襯底，以暴露犧牲材料；以及，去除犧牲材料，通過隔槽，將犧牲層替換為第一導電層。本公開提供的制備方法，先將外圍電路與導電結構鍵合，然后再去除犧牲材料，制作第一導電層，從而減小了外圍電路與包含導電結構的陣列器件之間的未對準誤差。

本發明授權三維存儲器及其制備方法、存儲系統在權利要求書中公布了：1.一種三維存儲器的制備方法，其特征在于，包括：在襯底的第一側形成疊層結構，所述疊層結構包括交替設置的介質層和犧牲層；形成貫穿所述疊層結構且延伸入所述襯底的隔槽，并在所述隔槽的至少部分內壁上形成第三保護層，其中，所述第三保護層至少覆蓋所述襯底暴露在所述隔槽中的表面；在所述隔槽內填充犧牲材料；在所述疊層結構遠離所述襯底的一側形成多個導電結構；所述多個導電結構中的至少部分導電結構延伸入所述疊層結構；提供外圍電路，將所述外圍電路與所述多個導電結構中的至少一個導電結構鍵合；去除至少部分所述襯底，以暴露出所述隔槽內的犧牲材料；去除所述隔槽內的犧牲材料，通過所述隔槽，將所述犧牲層替換為第一導電層，以使所述多個導電結構中的至少部分導電結構電連接至所述第一導電層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長江存儲科技有限責任公司，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區未來三路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。