恭喜南京郵電大學胥清緒獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜南京郵電大學申請的專利一種基于二維材料異質結的憶阻器及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115988954B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211671817.2，技術領域涉及：H10N70/20；該發明授權一種基于二維材料異質結的憶阻器及其制作方法是由胥清緒;邢瑜;周雙;董帥;普勇;王海云設計研發完成，并于2022-12-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于二維材料異質結的憶阻器及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明屬于電子存儲器技術領域，具體提供了一種基于二維材料異質結的憶阻器及其制作方法，所述憶阻器由下往上依次由襯底、金屬電極、二維材料異質結構成；器件的開關比高達103，耐久性超過600圈的循環圈數；本發明提供的基于二維材料異質結的憶阻器可用來模擬人工突觸。
本發明授權一種基于二維材料異質結的憶阻器及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種基于二維材料異質結的憶阻器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步驟：在潔凈的襯底上制作圖案化的金屬電極；在真空或惰性氣體氛圍下將WO2Cl2塊材采用機械剝離法在聚二甲基硅氧烷PDMS上制成二維WO2Cl2薄片，然后將PDMS上的二維WO2Cl2薄片壓在襯底的電極上，形成二維WO2Cl2薄片電極襯底復合層結構；所述WO2Cl2塊材由WCl6和WO3在溫度梯度為280-350℃下、使用化學氣相輸運法制備而成；在真空或惰性氣體氛圍下將六方氮化硼塊材采用機械剝離法在PDMS上制成二維六方氮化硼hBN薄片，然后將PDMS上的二維六方氮化硼薄片壓在所述二維WO2Cl2薄片電極襯底復合層結構上，此時所述二維六方氮化硼薄片與所述WO2Cl2薄片形成了異質結，制備的器件為異質結電極襯底復合層結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南京郵電大學，其通訊地址為：210046 江蘇省南京市棲霞區文苑路9號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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