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龍圖騰網(wǎng)恭喜中山大學(xué)申請(qǐng)的專利硅基集成間隙波導(dǎo)色散和特性阻抗的計(jì)算方法、太赫茲電路設(shè)計(jì)方法及系統(tǒng)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN117933161B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202410022387.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F30/367；該發(fā)明授權(quán)硅基集成間隙波導(dǎo)色散和特性阻抗的計(jì)算方法、太赫茲電路設(shè)計(jì)方法及系統(tǒng)是由羅志勇;侯達(dá)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-01-05向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本硅基集成間隙波導(dǎo)色散和特性阻抗的計(jì)算方法、太赫茲電路設(shè)計(jì)方法及系統(tǒng)在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及無線通信技術(shù)領(lǐng)域，為硅基集成間隙波導(dǎo)色散和特性阻抗的計(jì)算方法、太赫茲電路設(shè)計(jì)方法及系統(tǒng)，計(jì)算方法基于硅基集成間隙波導(dǎo)SiliconSubstrateIntegratedGapWaveguide，SSIGW模型，采用等效電路法研究了硅基電磁帶隙結(jié)構(gòu)的等離子體波數(shù)，采用橫向諧振法求解SSIGW的y方向的傳播常數(shù)，采用模式匹配法求解SSIGW色散方程；結(jié)合場(chǎng)分布和阻抗的定義求解SSIGW特征阻抗的閉合表達(dá)式。本發(fā)明能夠保證準(zhǔn)確度的同時(shí)實(shí)現(xiàn)快速確定SSIGW工作頻段和帶線寬度，提高基于SSIGW的太赫茲器件設(shè)計(jì)效率。

本發(fā)明授權(quán)硅基集成間隙波導(dǎo)色散和特性阻抗的計(jì)算方法、太赫茲電路設(shè)計(jì)方法及系統(tǒng)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種硅基集成間隙波導(dǎo)色散和特性阻抗的計(jì)算方法，其特征在于，所述計(jì)算方法基于SSIGW模型，SSIGW模型包括硅基電磁帶隙結(jié)構(gòu)陣列和蝕刻在硅基電磁帶隙結(jié)構(gòu)陣列上用于傳輸電磁波的帶線；所述計(jì)算方法包括如下步驟：建立硅基電磁帶隙結(jié)構(gòu)陣列的等效電路模型，通過應(yīng)用電路理論和各向異性介質(zhì)理論，推導(dǎo)計(jì)算硅基電磁帶隙結(jié)構(gòu)陣列的等離子體波數(shù)；結(jié)合所述等離子體波數(shù)，分析硅基電磁帶隙結(jié)構(gòu)陣列的反射特性，根據(jù)邊界條件推導(dǎo)出橫電TE和橫磁TM波入射時(shí)的反射系數(shù)，采用橫向諧振法推導(dǎo)計(jì)算出SSIGW的y方向傳播常數(shù)；結(jié)合y方向傳播常數(shù)，分析SSIGW不同區(qū)域的場(chǎng)分布，通過麥克斯韋方程組推導(dǎo)出場(chǎng)分布表達(dá)式；根據(jù)邊界條件和模式匹配法推導(dǎo)出SSIGW的z方向傳播常數(shù)，即計(jì)算硅基集成間隙波導(dǎo)色散；根據(jù)所述場(chǎng)分布表達(dá)式，并結(jié)合特性阻抗定義式，推導(dǎo)計(jì)算出SSIGW中帶線的特性阻抗閉合表達(dá)式。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人中山大學(xué)，其通訊地址為：510275 廣東省廣州市海珠區(qū)新港西路135號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。