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龍圖騰網(wǎng)恭喜納諾拉米克公司申請的專利芯片形式超級電容器獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114613616B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210292161.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01G11/76；該發(fā)明授權(quán)芯片形式超級電容器是由尼科洛·布蘭比拉;約翰·海德;懷亞特·安德烈;蘇希爾·M·J·卡拉巴圖拉;約瑟夫·K·萊恩設(shè)計研發(fā)完成，并于2018-10-03向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本芯片形式超級電容器在說明書摘要公布了：芯片形式超級電容器。公開一種適合于使用焊料回流工藝安裝在印刷電路板上的儲能設(shè)備。在一些實(shí)施例中，所述設(shè)備包括：密封的殼主體例如，其上附接有蓋的下主體，所述密封的殼主體包括設(shè)置在所述主體內(nèi)的正極內(nèi)部接觸件和負(fù)極內(nèi)部接觸件例如，金屬接觸墊，并且每個接觸件相應(yīng)地與正極外部接觸件和負(fù)極外部接觸件電連通。所述外部接觸件中的每個都提供到主體外部的電連通，并且可以設(shè)置在所述主體的外表面上。雙電層電容器EDLC在本文中也稱為“超級電容器”或“超級電容”儲能單元設(shè)置在所述主體中的空腔內(nèi)，包括交替的電極層和電絕緣分隔體層的堆疊體。電解質(zhì)設(shè)置在所述空腔內(nèi)并且潤濕所述電極層。

本發(fā)明授權(quán)芯片形式超級電容器在權(quán)利要求書中公布了：1.一種適合于使用焊料回流工藝安裝在印刷電路板上的儲能設(shè)備，所述設(shè)備包括：密封的殼主體，其包括正極內(nèi)部接觸件和負(fù)極內(nèi)部接觸件，所述正極內(nèi)部接觸件和所述負(fù)極內(nèi)部接觸件各自設(shè)置在所述主體內(nèi)，并且各自相應(yīng)地與正極外部接觸件和負(fù)極外部接觸件電連通，所述外部接觸件中的每個都提供與所述主體外部的電連通；雙電層電容器EDLC儲能單元，其設(shè)置在所述主體中的空腔內(nèi)，包括交替的電極層和電絕緣分隔體層的堆疊體；電解質(zhì)，其設(shè)置在所述空腔內(nèi)并且潤濕所述電極層；正極引線，其將第一組一個或多個所述電極層電連接到所述正極內(nèi)部接觸件；以及負(fù)極引線，其將第二組一個或多個所述電極層電連接到所述負(fù)極內(nèi)部接觸件；其中所述電極層中的每個包括包含位于由碳納米管網(wǎng)絡(luò)界定的空隙空間中的碳質(zhì)材料的儲能介質(zhì)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人納諾拉米克公司，其通訊地址為：美國馬薩諸塞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。