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龍圖騰網恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利一種半導體結構的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119447024B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510031601.7，技術領域涉及：H01L21/762；該發明授權一種半導體結構的制備方法是由許玉威;王瑞;蔡宗佐設計研發完成，并于2025-01-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體結構的制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體結構的制備方法，屬于半導體技術領域。所述制備方法至少包括以下步驟：提供一襯底；在所述襯底上依次形成墊氧化層、中間材料層和墊氮化層；刻蝕所述墊氮化層、所述中間材料層、所述墊氧化層和所述襯底，形成淺溝槽，在所述淺溝槽內形成絕緣介質層，直至所述淺溝槽內的所述絕緣介質層突出于所述墊氮化層；平坦化所述絕緣介質層直至暴露所述墊氮化層；對所述中間材料層進行氧化處理，獲得氧化材料層；刻蝕去除所述墊氮化層；以及平坦化所述氧化材料層和所述絕緣介質層。通過本發明提供的半導體結構的制備方法，能夠避免淺溝槽隔離結構的表面出現碟形凹陷，提高淺溝槽隔離結構表面的平坦度。

本發明授權一種半導體結構的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，至少包括以下步驟：提供一襯底；在所述襯底上依次形成墊氧化層、中間材料層和墊氮化層；刻蝕所述墊氮化層、所述中間材料層、所述墊氧化層和所述襯底，形成淺溝槽，在所述淺溝槽內形成絕緣介質層，直至所述淺溝槽內的所述絕緣介質層突出于所述墊氮化層；平坦化所述絕緣介質層直至暴露所述墊氮化層；對所述中間材料層進行氧化處理，獲得氧化材料層，所述氧化材料層的厚度小于或等于所述中間材料層的初始厚度，所述氧化材料層和所述絕緣介質層的材料和物理性質相同；刻蝕去除所述墊氮化層；平坦化所述氧化材料層和所述絕緣介質層；以及通過刻蝕去除所述氧化材料層和所述墊氧化層，或，通過離子注入形成阱區后，再刻蝕去除所述氧化材料層和所述墊氧化層；其中，所述中間材料層的氧化處理至少包括以下步驟：向所述中間材料層中注入氧等離子體；以及對所述中間材料層進行退火處理。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。