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龍圖騰網(wǎng)恭喜全智芯(上海)技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利仿真模型的參數(shù)更新方法、仿真方法、電子設(shè)備及介質(zhì)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119623400B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510159488.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F30/392；該發(fā)明授權(quán)仿真模型的參數(shù)更新方法、仿真方法、電子設(shè)備及介質(zhì)是由請(qǐng)求不公布姓名設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-02-13向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本仿真模型的參數(shù)更新方法、仿真方法、電子設(shè)備及介質(zhì)在說(shuō)明書摘要公布了：本公開(kāi)的實(shí)施例涉及仿真模型的參數(shù)更新方法、仿真方法、電子設(shè)備及介質(zhì)。仿真模型的參數(shù)更新方法，包括：基于各個(gè)時(shí)間步和相應(yīng)的蝕刻速率確定蝕刻后溝槽的底部的最終高度的仿真值；基于仿真值與目標(biāo)值的比較確定與溝槽的蝕刻速率相關(guān)的參數(shù)的更新值，以使得對(duì)應(yīng)于參數(shù)的更新值的仿真值與目標(biāo)值的差變小。本公開(kāi)的技術(shù)方案提供了高精度的仿真模型，能夠精確仿真半導(dǎo)體工藝中的蝕刻過(guò)程。

本發(fā)明授權(quán)仿真模型的參數(shù)更新方法、仿真方法、電子設(shè)備及介質(zhì)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種仿真模型的參數(shù)更新方法，包括：基于各個(gè)時(shí)間步和相應(yīng)的蝕刻速率確定蝕刻后溝槽的底部的最終高度的仿真值，其中所述蝕刻速率是基于初始數(shù)據(jù)以及與溝槽的蝕刻速率相關(guān)的參數(shù)的初始值確定的，其中所述初始數(shù)據(jù)指示晶圓和待蝕刻的溝槽的尺寸信息；以及基于所述仿真值與目標(biāo)值的比較確定與所述溝槽的蝕刻速率相關(guān)的參數(shù)的更新值，以使得對(duì)應(yīng)于所述參數(shù)的更新值的仿真值與目標(biāo)值的差變??；其中所述尺寸信息至少包括以下特征尺寸信息：晶圓上格點(diǎn)內(nèi)圖形的密度；所述圖形的寬度；所述圖形之間的間隔；以及溝槽的底部的初始高度；其中所述參數(shù)至少包括以下之一：材料的名義蝕刻速率；所述密度的影響因子；蝕刻液濃度；寬度的影響因子；蝕刻液濃度調(diào)整因子；以及所述間隔的影響因子。

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