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龍圖騰網恭喜深圳市奧斯珂科技有限公司申請的專利邊緣Ai芯片多層存儲單元垂直互聯封裝方法和裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119630002B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510162692.8，技術領域涉及：G06F30/392；該發明授權邊緣Ai芯片多層存儲單元垂直互聯封裝方法和裝置是由尹春設計研發完成，并于2025-02-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本邊緣Ai芯片多層存儲單元垂直互聯封裝方法和裝置在說明書摘要公布了：本發明涉及一種用于邊緣AI芯片多層存儲單元的垂直互聯封裝方法及裝置。方法包括以下步驟：首先，獲取邊緣AI芯片的多層存儲單元的初始封裝參數，確保所述封裝參數包含與垂直互聯相關的物理屬性。隨后，通過構建多層存儲單元的垂直互聯模型，結合每個存儲單元的封裝參數，生成各層之間的連接結構。接著，基于生成的連接結構，對存儲單元間的導通結構進行分區劃分，從而得到多個獨立的傳輸通道。再采用自動布線算法對這些傳輸通道的信號布局進行優化，以確定信號在各路線中的布局方式，并依據該布局方式調整封裝參數，最終完成邊緣AI芯片多層存儲單元的垂直互聯封裝。該發明不僅提高了封裝精度，還有效增強了信號傳輸的穩定性和抗干擾性能。

本發明授權邊緣Ai芯片多層存儲單元垂直互聯封裝方法和裝置在權利要求書中公布了：1.一種邊緣Ai芯片多層存儲單元的垂直互聯封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：獲取邊緣AI芯片的多層存儲結構中的各存儲單元的初始封裝參數，其中，所述封裝參數至少包括：與垂直互聯相關的物理屬性參數；采用邊緣AI芯片的多層存儲單元垂直互聯構建模型，結合所述各存儲單元的封裝參數，生成所述邊緣AI芯片的多層存儲結構中的各層連接結構；基于所述邊緣AI芯片的多層存儲結構中的各層連接結構，對所述多層存儲單元之間的導通結構進行分區劃分，得到多個獨立的傳輸通道；采用自動布線算法對所述多層存儲結構的多個傳輸通道進行布局優化處理，確定信號在路線中的布局方式；基于所述信號在路線中的布局方式，對所述初始封裝參數進行調整得到最終的封裝參數，進而采用所述最終的封裝參數對所述邊緣AI芯片的多層存儲單元進行垂直互聯封裝。

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