買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜北京北方華創微電子裝備有限公司申請的專利濺射方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110344013B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910763676.9，技術領域涉及：C23C14/35；該發明授權濺射方法是由鄧斌;白志民;李強;耿宏偉;孫穎;韓立仁設計研發完成，并于2019-08-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本濺射方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種濺射方法，包括以下步驟：S1，向反應腔室中通入工藝氣體；S2，開啟濺射電源，且將加載至靶材的濺射電源的輸出功率調節至第一濺射功率值，以啟輝形成等離子體；S3，將輸出功率按第一預設規則提高至第二濺射功率值，以在基片上沉積薄膜；S4，將輸出功率按第二預設規則逐漸降低至零；S5，判斷薄膜的厚度是否達到目標厚度，若是，則進行步驟S6；若否，則返回步驟S2；S6，關閉濺射電源，及停止向反應腔室中通入工藝氣體；其中，先進行步驟S4，后進行步驟S5；或者，先進行步驟S5，后進行步驟S4。本發明提供的濺射方法，可以避免產生微小打火現象，避免產生顆粒污染，從而可以保證薄膜性能，提高器件電性能和良率。

本發明授權濺射方法在權利要求書中公布了：1.一種濺射方法，其特征在于，包括以下步驟：S1，向反應腔室中通入工藝氣體；S2，開啟濺射電源，且將加載至靶材的所述濺射電源的輸出功率調節至第一濺射功率值，以啟輝形成等離子體，并在基片上形成緩沖層；所述步驟S2包括以下子步驟：S21，開啟所述濺射電源，且將所述輸出功率調節至第三濺射功率值；所述第三濺射功率值小于所述第一濺射功率值；S22，待預設時間后，將所述輸出功率由所述第三濺射功率提高至所述第一濺射功率值；S3，將所述輸出功率按第一預設規則提高至第二濺射功率值，以在基片上沉積薄膜；所述第一預設規則包括：直接將所述輸出功率由所述第一濺射功率值調節至所述第二濺射功率值；或者，所述第一預設規則包括：將所述輸出功率由所述第一濺射功率值提高至第四濺射功率值；所述第四濺射功率值小于所述第二濺射功率值；待預設時間后，將所述輸出功率由所述第四濺射功率值提高至所述第二濺射功率值；S4，將輸出功率按第二預設規則逐漸降低至零；在所述步驟S4中，所述第二預設規則包括：每間隔指定時間進行一次功率降低過程，直至所述輸出功率為零；所述功率降低過程包括：將當前的所述輸出功率降低預設調整量；所述第四濺射功率值的取值范圍滿足下述公式：M＝N-n2-N+n2；其中，M為所述第四濺射功率值；N為所述第二濺射功率值；n為所述第一濺射功率值；S5，判斷所述薄膜的厚度是否達到目標厚度，若是，則進行步驟S6；若否，則返回所述步驟S2；S6，關閉所述濺射電源，及停止向所述反應腔室中通入所述工藝氣體；其中，先進行所述步驟S4，后進行所述步驟S5；或者，先進行所述步驟S5，后進行所述步驟S4。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京北方華創微電子裝備有限公司，其通訊地址為：100176 北京市北京經濟技術開發區文昌大道8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。