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龍圖騰網(wǎng)恭喜恩智浦美國(guó)有限公司申請(qǐng)的專利高速邏輯中動(dòng)態(tài)切換電流的降低獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111130517B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201911051585.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H03K17/081；該發(fā)明授權(quán)高速邏輯中動(dòng)態(tài)切換電流的降低是由伊曼紐爾·楚庫馬·奧妮瑪;大衛(wèi)·拉塞爾·蒂普爾設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-10-30向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本高速邏輯中動(dòng)態(tài)切換電流的降低在說明書摘要公布了：公開了一種用于降低高速邏輯中的動(dòng)態(tài)切換電流的方法和設(shè)備。所述設(shè)備可以包括CMOS邏輯電路，所述CMOS邏輯電路進(jìn)而包括NMOSFinFET、第一PMOSFinFET以及第二PMOSFinFET。所述NMOSFinFET的柵極連接到所述第一PMOSFinFET的柵極，所述NMOSFinFET的漏極連接到所述第一PMOSFinFET的漏極，并且所述第二PMOSFinFET連接到所述第一PMOSFinFET以在所述第一PMOSFinFET的源極與所述漏極之間創(chuàng)建電容器。在一個(gè)實(shí)施例中，所述第二PMOSFinFET包含在單元中并且定位在所述單元的邊緣處，所述單元還包含所述第一PMOSFinFET和所述NMOSFinFET。

本發(fā)明授權(quán)高速邏輯中動(dòng)態(tài)切換電流的降低在權(quán)利要求書中公布了：1.一種在襯底上制造CMOS邏輯電路的方法，其特征在于，所述方法包括：在所述襯底上制造鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管FinFET，其中制造FinFET包括制造NMOSFinFET、第一PMOSFinFET以及第二PMOSFinFET；其中所述NMOSFinFET的柵極連接到所述第一PMOSFinFET的柵極；其中所述NMOSFinFET的漏極連接到所述第一PMOSFinFET的漏極；其中所述第二PMOSFinFET的柵極連接到所述第一PMOSFinFET的源極并進(jìn)一步連接到電源電壓，第二PMOSFinFET的柵極與第一PMOSFinFET的漏極之間電隔離，以在所述第一PMOSFinFET的源極與所述第一PMOSFinFET的漏極之間創(chuàng)建電容器；所述電容器包括第一端和第二端，所述電容器的第一端包括所述第二PMOSFinFET的柵極，所述電容器的第二端包括所述第一PMOSFinFET的漏極。

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