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龍圖騰網恭喜武漢鼎澤新材料技術有限公司;鼎龍(仙桃)新材料有限公司;湖北鼎龍控股股份有限公司申請的專利半導體器件的制造方法、硅溶膠及其制備方法和研磨用組合物獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119612522B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510163022.8，技術領域涉及：H01L21/304；該發明授權半導體器件的制造方法、硅溶膠及其制備方法和研磨用組合物是由周航;歐陽廣成;李小龍;肖桂林;高念設計研發完成，并于2025-02-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件的制造方法、硅溶膠及其制備方法和研磨用組合物在說明書摘要公布了：本申請提供了一種半導體器件的制造方法、硅溶膠及其制備方法和研磨用組合物，涉及硅溶膠制備技術領域。該半導體器件的制造方法包括用研磨用組合物對半導體晶片表面進行研磨的工序，研磨用組合物包括硅溶膠，硅溶膠的制備方法包括：利用陽離子樹脂制備活性硅酸溶液；將活性硅酸溶液的pH調節至中性，使活性硅酸溶液在高溫下陳化；將陳化的硅酸pH調至堿性，得到硅膠基質晶種溶液；滴加活性硅酸溶液，得到一種寬粒徑分布的硅溶膠。本申請提供的硅溶膠具有很寬的SiO2粒徑分布，且是一種有序的正態分布，該硅溶膠應用在研磨用組合物中時，大粒徑SiO2與小粒徑SiO2互相配合，與被拋物之間摩擦系數大，能顯著提高拋光銅時的拋光速率，起到很好的機械削磨效果。

本發明授權半導體器件的制造方法、硅溶膠及其制備方法和研磨用組合物在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括使用研磨用組合物對半導體晶片表面進行研磨的工序，所述研磨用組合物包括硅溶膠，所述硅溶膠的制備方法包括以下步驟：S1：將稀釋后的水玻璃和陽離子樹脂進行交換反應，得到pH值為2.0-2.5的活性硅酸溶液；S2：在所述活性硅酸溶液中加入強堿水溶液，調節pH值為7-8，加熱到60-80℃，并保溫第一預設時間，冷卻后通過微孔濾膜過濾，得到陳化硅酸溶液；S3：向所述陳化硅酸溶液加入強堿水溶液，調節pH值到11-11.5，充分攪拌后，加熱至沸騰并保溫第二預設時間，得到硅膠基質晶種溶液；S4：將所述硅膠基質晶種溶液在攪拌作用下升溫至95-100℃，以預設滴速滴加所述活性硅酸溶液，得到硅溶膠；所述S2步驟中的所述第一預設時間為3-5h，所述pH值為7.5-8，所述S2和S3步驟中的強堿水溶液為氫氧化鉀水溶液，所述S3步驟中的所述第二預設時間為1-3h，反應壓強為140kPa，所述S3步驟中的加熱溫度為120-150℃，加熱方式為蒸汽加熱，所述硅膠基質晶種溶液中SiO2晶種的粒徑為10-30nm。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人武漢鼎澤新材料技術有限公司;鼎龍(仙桃)新材料有限公司;湖北鼎龍控股股份有限公司，其通訊地址為：430057 湖北省武漢市武漢經濟技術開發區東荊河路1號辦公樓6樓608室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。