恭喜湖北星辰技術有限公司任小寧獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜湖北星辰技術有限公司申請的專利半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119725284B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510238827.4，技術領域涉及：H01L23/488；該發明授權半導體器件及其制造方法是由任小寧;吳潔;夏凱睿;謝冬設計研發完成，并于2025-02-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開實施例公開了一種半導體器件及其制造方法。該半導體器件包括：第一鍵合結構、第二鍵合結構、填充層和連接層；第一鍵合結構設于第一晶圓的表面且包括第一鍵合部和第二鍵合部，其中，第一鍵合部的截面尺寸小于第二鍵合部的截面尺寸；第二鍵合結構設于第二晶圓朝向第一晶圓的表面，其中，第二鍵合結構背離第二晶圓的表面具有第一凹槽，第一凹槽的截面尺寸大于第二鍵合部的截面尺寸，第二鍵合部嵌入第一凹槽內；填充層設于第二鍵合結構和第一晶圓之間；連接層包括第一連接部和第二連接部，其中，第一連接部設于第一凹槽和第二鍵合部之間，第二連接部設于填充層和第二鍵合部之間。
本發明授權半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括：第一鍵合結構，所述第一鍵合結構設于第一晶圓的表面且包括第一鍵合部和第二鍵合部，其中，所述第一鍵合部的截面尺寸小于所述第二鍵合部的截面尺寸；第二鍵合結構，所述第二鍵合結構設于第二晶圓朝向所述第一晶圓的表面，所述第二鍵合結構背離所述第二晶圓的表面具有第一凹槽，其中，所述第一凹槽的截面尺寸大于所述第二鍵合部的截面尺寸，所述第二鍵合部和所述第一凹槽嵌合；填充層，所述填充層設于所述第二鍵合結構和所述第一晶圓之間；連接層，所述連接層包括第一連接部和第二連接部，其中，所述第一連接部設于所述第一凹槽和所述第二鍵合部之間，所述第二連接部設于所述填充層和所述第二鍵合部之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖北星辰技術有限公司，其通訊地址為：430223 湖北省武漢市東湖新技術開發區流芳園橫路12號匯成工業科創園2號樓11F(自貿區武漢片區)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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