恭喜株洲宏達恒芯電子有限公司王慧卉獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜株洲宏達恒芯電子有限公司申請的專利一種高性能單層瓷介電容器材料及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119735437B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510254689.9，技術領域涉及：C04B35/468；該發明授權一種高性能單層瓷介電容器材料及制備方法是由王慧卉;趙海飛設計研發完成，并于2025-03-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種高性能單層瓷介電容器材料及制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及電容器材料領域，提供了提供一種高性能單層瓷介電容器材料及其制備方法。所述材料包含表面改性氧化鋯晶須、鈦酸鍶納米帶、鈦酸鋇納米顆粒、硝酸鋇、鈦酸四異丙酯、四甲基氫氧化銨、聚丙烯酸銨、氧化鑭、氧化鈮、二氧化錳、納米二氧化硅及乙醇?水混合溶液。氧化鋯晶須經KH?550硅烷偶聯劑改性，提高增強相的分散性及界面結合力。鈦酸鍶納米帶的引入優化鈦酸鋇鈦酸鍶相干界面，提高材料的介電性能及機械強度。采用超聲分散、球磨混合、摻雜流延成型及梯度燒結工藝，使材料實現高致密度、低介電損耗及優異的溫度穩定性。本發明克服現有單層瓷介電容器材料在介電性能和機械強度上的不足，適用于高可靠性電子元器件制造領域。
本發明授權一種高性能單層瓷介電容器材料及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種高性能單層瓷介電容器材料，其特征在于，包括以下重量份數的原料：表面改性氧化鋯晶須8.0~12.0份，鈦酸鍶納米帶10.0~18.0份，鈦酸鋇納米顆粒60.0~75.0份，硝酸鋇5.0~8.0份，鈦酸四異丙酯4.0~6.0份，四甲基氫氧化銨2.0~4.0份，聚丙烯酸銨0.3~0.8份，氧化鑭1.0~2.0份，氧化鈮0.5~1.2份，二氧化錳0.1~0.5份，納米二氧化硅0.3~0.8份，乙醇和水混合溶液100.0份；所述的表面改性氧化鋯晶須為氧化鋯晶須經硅烷偶聯劑KH-550表面改性獲得；所述的單層瓷介電容器材料包含鈦酸鋇鈦酸鍶相干界面。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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