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龍圖騰網恭喜億芯微半導體科技(深圳)有限公司申請的專利一種半導體刻蝕工藝參數優化方法、裝置及存儲介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119786399B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510281293.3，技術領域涉及：H01L21/67；該發明授權一種半導體刻蝕工藝參數優化方法、裝置及存儲介質是由周永強;羅旺寶;張仁福;劉伯陽;王家清設計研發完成，并于2025-03-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體刻蝕工藝參數優化方法、裝置及存儲介質在說明書摘要公布了：本發明涉及數據處理的技術領域，提供了一種半導體刻蝕工藝參數優化方法、裝置及存儲介質，包括獲取半導體刻蝕工藝在刻蝕過程中的實時數據并進行預處理，得到清洗后的數據集后提取出關鍵特征生成刻蝕狀態權重矩陣，對刻蝕腔室的氣壓分布參數進行優化調整，得到氣壓設定值；獲取刻蝕腔室的溫度分布數據，對氣壓設定值和溫度分布數據進行計算，得到射頻功率設定值；利用射頻功率設定值和氣壓設定值對半導體刻蝕工藝參數進行優化。通過實時數據的采集和處理，得到射頻功率設定值和氣壓設定值并應用，提升刻蝕工藝的整體性能，改善在工藝復雜性和實時性要求較高時，存在著效率低、精度不足和適應性差的問題。

本發明授權一種半導體刻蝕工藝參數優化方法、裝置及存儲介質在權利要求書中公布了：1.一種半導體刻蝕工藝參數優化方法，其特征在于，包括：獲取半導體刻蝕工藝在刻蝕過程中的實時數據，對所述實時數據進行預處理，得到清洗后的數據集；基于所述清洗后的數據集提取出影響刻蝕效果的關鍵特征，將所述關鍵特征輸入預設的預測模型，得到刻蝕殘余厚度預測值、刻蝕側壁角度預測值以及刻蝕速率偏差預測值；根據所述刻蝕殘余厚度預測值、所述刻蝕側壁角度預測值以及所述刻蝕速率偏差預測值生成刻蝕狀態權重矩陣，基于所述刻蝕狀態權重矩陣對刻蝕腔室的氣壓分布參數進行優化調整，得到氣壓設定值；獲取刻蝕腔室的溫度分布數據，對所述氣壓設定值和所述溫度分布數據進行計算，得到刻蝕均勻性修正參數，基于所述刻蝕均勻性修正參數調整射頻功率分布，得到射頻功率設定值；利用射頻功率設定值和所述氣壓設定值對半導體刻蝕工藝參數進行優化。

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