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龍圖騰網(wǎng)恭喜弗薩姆材料美國有限責(zé)任公司申請的專利用于碳摻雜含硅膜的組合物以及使用所述組合物的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN109689928B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201780055135.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C16/34；該發(fā)明授權(quán)用于碳摻雜含硅膜的組合物以及使用所述組合物的方法是由H·錢德拉;雷新建;A·馬力卡瓊南;金武性設(shè)計研發(fā)完成，并于2017-07-26向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本用于碳摻雜含硅膜的組合物以及使用所述組合物的方法在說明書摘要公布了：本文公開了一種組合物和在電子器件的制造中使用該組合物的方法。公開了用于沉積低介電常數(shù)4.0和高氧灰化抗性的含硅膜例如但不限于碳摻雜氧化硅的化合物、組合物和方法。

本發(fā)明授權(quán)用于碳摻雜含硅膜的組合物以及使用所述組合物的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于通過熱ALD工藝形成具有從15原子％至30原子％范圍的碳含量的碳摻雜氧化硅膜的方法，該方法包括：a將包含表面特征的一個或多個襯底放入反應(yīng)器中；b加熱反應(yīng)器到從環(huán)境溫度至550℃范圍內(nèi)的溫度，并任選地將所述反應(yīng)器保持在100托或更低的壓力下；c將至少一種具有兩個Si-C-Si鍵的硅前體引入所述反應(yīng)器中，該硅前體選自1-氯-1,3-二硅雜環(huán)丁烷、1-溴-1,3-二硅雜環(huán)丁烷、1,3-二氯-1,3-二硅雜環(huán)丁烷、1,3-二溴-1,3-二硅雜環(huán)丁烷、1,1,3-三氯-1,3-二硅雜環(huán)丁烷、1,1,3-三溴-1,3-二硅雜環(huán)丁烷、1,1,3,3-四氯-1,3-二硅雜環(huán)丁烷、1,1,1,3,3,5,5,5-八氯-1,3,5-三硅雜戊烷、1,1,1,3,3,5,5,5-八氯-1,3,5-三硅雜戊烷、1,1,1,3,3,5,5,5-八氯-1,5-二甲基-1,3,5-三硅雜戊烷、1,1,1,5,5,5-六氯-3,3-二甲基-1,3,5-三硅雜戊烷、1,1,3,5,5,5-五氯-1,3,5-三甲基-1,3,5-三硅雜戊烷、1,1,1,5,5,5-六氯-1,3,5-三硅雜戊烷、1,1,5,5-四氯-1,3,5-三硅雜戊烷；d用惰性氣體吹掃；e向所述反應(yīng)器中提供氮源以與所述表面反應(yīng)形成碳摻雜氮化硅膜；f用惰性氣體吹掃以除去反應(yīng)副產(chǎn)物；g重復(fù)步驟c至f，以提供所需厚度的碳摻雜氮化硅；h在從環(huán)境溫度至1000℃范圍內(nèi)的溫度下用氧源處理所得的碳摻雜氮化硅膜，以將所述碳摻雜氮化硅膜轉(zhuǎn)化為碳摻雜氧化硅膜；和i將所述碳摻雜氧化硅膜沉積后暴露于包含氫的等離子體。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人弗薩姆材料美國有限責(zé)任公司，其通訊地址為：美國亞利桑那州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。