買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)恭喜美光科技公司申請(qǐng)的專利集成電路系統(tǒng)、DRAM電路系統(tǒng)、用于形成集成電路系統(tǒng)的方法及用于形成DRAM電路系統(tǒng)的方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113544849B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202080019662.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B12/00；該發(fā)明授權(quán)集成電路系統(tǒng)、DRAM電路系統(tǒng)、用于形成集成電路系統(tǒng)的方法及用于形成DRAM電路系統(tǒng)的方法是由G·S·桑胡;J·A·斯邁思設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-02-21向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本集成電路系統(tǒng)、DRAM電路系統(tǒng)、用于形成集成電路系統(tǒng)的方法及用于形成DRAM電路系統(tǒng)的方法在說明書摘要公布了：一種用于形成集成電路系統(tǒng)的方法包括形成包括導(dǎo)電材料的多個(gè)導(dǎo)電通路。所述導(dǎo)電通路通過中間材料相對(duì)于彼此間隔。在所述通路的所述導(dǎo)電材料頂部上及在介于所述通路之間的所述中間材料頂部上形成不連續(xù)材料。在所述不連續(xù)材料頂部上、直接抵靠所述不連續(xù)材料及在所述不連續(xù)材料之間并且在所述通路的所述導(dǎo)電材料頂部上及直接抵靠所述通路的所述導(dǎo)電材料形成金屬材料。所述金屬材料具有與所述不連續(xù)材料的成分不同的成分并且在介于所述通路之間的所述中間材料之上。形成在其之下具有不連續(xù)材料的所述金屬材料以包括在介于所述通路之間并且直接抵靠所述通路中的個(gè)別者的所述中間材料頂部上的導(dǎo)電線。揭示獨(dú)立于方法的結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明授權(quán)集成電路系統(tǒng)、DRAM電路系統(tǒng)、用于形成集成電路系統(tǒng)的方法及用于形成DRAM電路系統(tǒng)的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于形成集成電路系統(tǒng)的方法，其包括：形成包括導(dǎo)電材料的多個(gè)導(dǎo)電通路，所述導(dǎo)電通路通過中間材料相對(duì)于彼此間隔；在所述導(dǎo)電通路的所述導(dǎo)電材料頂部上及在介于所述導(dǎo)電通路之間的所述中間材料頂部上形成不連續(xù)材料；在所述不連續(xù)材料頂部上、直接抵靠所述不連續(xù)材料及在所述不連續(xù)材料之間并且在所述導(dǎo)電通路的所述導(dǎo)電材料頂部上及直接抵靠所述導(dǎo)電通路的所述導(dǎo)電材料形成金屬材料，所述金屬材料具有與所述不連續(xù)材料的成分不同的成分并且在介于所述導(dǎo)電通路之間的所述中間材料之上；及形成在其之下具有不連續(xù)材料的所述金屬材料以包括在介于所述導(dǎo)電通路之間并且直接抵靠所述導(dǎo)電通路中的個(gè)別者的所述中間材料頂部上的導(dǎo)電線。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人美光科技公司，其通訊地址為：美國(guó)愛達(dá)荷州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。