恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司;臺積電(南京)有限公司;臺積電(中國)有限公司王新泳獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司;臺積電(南京)有限公司;臺積電(中國)有限公司申請的專利半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113053878B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010272941.6，技術領域涉及：H10D84/83；該發明授權半導體器件及其制造方法是由王新泳;周陽;韓劉設計研發完成，并于2020-04-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開涉及半導體器件及其制造方法。一種半導體器件包括：襯底；第一柵極結構、第二柵極結構和第三柵極結構；以及第一源極漏極區域。第一柵極結構、第二柵極結構和第三柵極結構位于襯底上方并沿著第一方向布置。第一柵極結構、第二柵極結構和第三柵極結構在不同于第一方向的第二方向上延伸，并且第二柵極結構位于第一柵極結構和第三柵極結構之間。第一源極漏極區域位于第一柵極結構和第三柵極結構之間，并且位于第二柵極結構的一個端部處。
本發明授權半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括：襯底；第一柵極結構、第二柵極結構和第三柵極結構，所述第一柵極結構、所述第二柵極結構和所述第三柵極結構位于所述襯底上方并沿著第一方向布置，其中，所述第一柵極結構、所述第二柵極結構和所述第三柵極結構在不同于所述第一方向的第二方向上延伸，并且所述第二柵極結構位于所述第一柵極結構和所述第三柵極結構之間；以及第一源極漏極區域，從所述第一柵極結構延伸至所述第三柵極結構，其中，所述第一源極漏極區域位于所述第二柵極結構的一個端部處，并且所述第一源極漏極區域與所述第二柵極結構分隔開。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司;臺積電(南京)有限公司;臺積電(中國)有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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