恭喜華為技術有限公司許俊豪獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜華為技術有限公司申請的專利一種鐵電存儲器及存儲設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115699181B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080101670.6，技術領域涉及：G11C11/22；該發明授權一種鐵電存儲器及存儲設備是由許俊豪;卜思童;侯朝昭;張瑜;張燕燕設計研發完成，并于2020-06-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種鐵電存儲器及存儲設備在說明書摘要公布了：一種鐵電存儲器，該鐵電存儲器包括至少一個存儲單元，每個存儲單元包括：第一電極1，第二電極2，第三電極3，鐵電層4，以及層疊設置的第一半導體層10、第二半導體層20和第三半導體層30；其中，第一半導體層10和第二半導體層20之間形成PN結，第一半導體層10遠離第二半導體層20的一側設置有第一電極1，第三半導體層30遠離第二半導體層20的一側設置有第三電極3，鐵電層4包圍第三半導體層30的全部側面或者部分側面，第二電極2包圍鐵電層4。這樣后續在向該存儲單元讀寫數據時，可以降低鐵電層4的極化對于第一半導體層10和第二半導體層20形成的PN結的影響，從而有利于提升該鐵電存儲器的耐久性。
本發明授權一種鐵電存儲器及存儲設備在權利要求書中公布了：1.一種鐵電存儲器，其特征在于，所述鐵電存儲器包括至少一個存儲單元，每個所述存儲單元包括：第一電極，第二電極，第三電極，鐵電層，以及層疊設置的第一半導體層、第二半導體層和第三半導體層；其中，所述第一半導體層和所述第二半導體層中的一個為N型半導體、另一個為P型半導體，所述第一半導體層遠離所述第二半導體層的一側設置有所述第一電極，所述第三半導體層遠離所述第二半導體層的一側設置有所述第三電極，所述鐵電層包圍所述第三半導體層的全部側面或者部分側面，所述第二電極包圍所述鐵電層。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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