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龍圖騰網恭喜臺積電(中國)有限公司;臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利具有掩埋偏置焊盤的半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113451305B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010644848.3，技術領域涉及：H10D84/85；該發明授權具有掩埋偏置焊盤的半導體器件是由吳健;韓峰;張帥設計研發完成，并于2020-07-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本具有掩埋偏置焊盤的半導體器件在說明書摘要公布了：本公開涉及具有掩埋偏置焊盤的半導體器件。一種集成電路包括位于掩埋氧化物層內的偏置焊盤。半導體材料層位于掩埋氧化物層上方。半導體材料層包括用于晶體管的摻雜區域。層間電介質ILD材料覆蓋半導體材料層和晶體管的柵極電極。該集成電路包括一個或多個偏置接觸件，延伸穿過半導體材料層中的隔離區域內的ILD材料。偏置接觸件電連接到第一偏置焊盤。隔離結構使一個或多個偏置接觸件與半導體材料層內的晶體管的摻雜區域絕緣。一個或多個偏置接觸件電連接到集成電路的互連結構，該互連結構被配置為將電壓源連接到偏置焊盤。

本發明授權具有掩埋偏置焊盤的半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括：掩埋氧化物層，位于襯底上方；半導體材料層，位于所述掩埋氧化物層上方，該半導體材料層包括多個摻雜區域；晶體管，其中，所述晶體管包括柵極電極和所述多個摻雜區域；隔離區域，位于所述半導體材料層中；層間電介質ILD材料，位于所述半導體材料層和所述柵極電極上方；第一偏置接觸件，延伸穿過所述ILD材料和所述隔離區域到達所述掩埋氧化物層；以及互連結構，通過所述第一偏置接觸件電連接到所述掩埋氧化物層，其中，所述半導體器件還包括：第一偏置焊盤，位于所述掩埋氧化物層中，其中，所述第一偏置焊盤包括導電材料，所述第一偏置焊盤在垂直方向上位于所述晶體管和所述襯底之間，并且所述第一偏置焊盤在水平方向上對應于所述晶體管；以及第二偏置焊盤，位于所述掩埋氧化物層內，其中，所述第二偏置焊盤在垂直方向上位于第二晶體管和所述襯底之間，并且所述第二偏置焊盤在水平方向上對應于所述第二晶體管，所述第二偏置焊盤在所述掩埋氧化物層內通過深溝槽隔離結構DTI與所述第一偏置焊盤電隔離，其中，所述第二偏置焊盤通過第二偏置接觸件電連接到所述半導體器件的互連結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺積電(中國)有限公司;臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：201616 上海市松江區文翔路4000號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。