恭喜長鑫存儲技術有限公司郭宇峰獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利氧化層的形成方法及半導體結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114334627B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011049227.7，技術領域涉及：H01L21/20；該發明授權氧化層的形成方法及半導體結構是由郭宇峰設計研發完成，并于2020-09-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本氧化層的形成方法及半導體結構在說明書摘要公布了：本發明提出一種氧化層的形成方法及半導體結構，氧化層的形成方法包含以下步驟：提供基底；形成氧化薄膜結構，向反應環境中通入氫氣，并通入氧氣，在基底表面形成氧化薄膜結構；退火處理，向反應環境中通入補償氣體，對氧化薄膜結構進行脈沖式退火處理，以形成氧化層薄膜；重復至少兩個包含上述步驟的循環，在基底表面形成疊置的至少兩層氧化層薄膜，以此形成氧化層。本發明采用補償氣體進行脈沖式的退火處理，能夠減少二氧化硅中存在的不穩定的Si?H鍵和Si?OH鍵。本發明采用多個循環交替進行氧化薄膜結構的形成和退火處理，延長了采用補償氣體的退火處理階段，以此為半導體結構基底的表面缺陷的自愈提供了更加充分的時間和熱能。
本發明授權氧化層的形成方法及半導體結構在權利要求書中公布了：1.一種氧化層的形成方法，其特征在于，包含以下步驟：提供基底；形成氧化薄膜結構，向反應環境中通入氫氣，并通入氧氣，在所述基底表面形成氧化薄膜結構；所述氧化薄膜結構中具有空隙及Si-H鍵和Si-OH鍵；退火處理，向反應環境中通入補償氣體，對所述氧化薄膜結構進行脈沖式退火處理，使得所述氧化薄膜結構中的至少一部分空隙溢出，并使得至少一部分Si-H鍵和Si-OH鍵斷裂，以形成氧化層薄膜；重復至少兩個包含上述步驟的循環，在所述基底表面形成疊置的至少兩層所述氧化層薄膜，以此形成氧化層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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