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龍圖騰網恭喜三星電子株式會社申請的專利半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112635456B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011050878.8，技術領域涉及：H10D84/85；該發明授權半導體器件是由柳志秀;俞炫圭;林承萬設計研發完成，并于2020-09-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體器件，其包括：第一有源圖案和第二有源圖案，其在基板上在第一方向上延伸；第一柵電極和第二柵電極，其在第二方向上延伸以與第一有源圖案和第二有源圖案相交；第一源極漏極接觸，其在第二方向上延伸并分別連接到第一有源圖案的第一源極漏極區域和第二有源圖案的第二源極漏極區域；第一源極漏極通路，其連接到第一源極漏極接觸；第一單元分隔膜，其在第二方向上延伸并與第一有源圖案和第二有源圖案交叉，在第一源極漏極接觸和第二柵電極之間；第一柵極通路，其連接到第二柵電極并與第一源極漏極通路一起沿著第一方向排列；以及第一連接配線，其在第一方向上延伸并且連接第一源極漏極通路和第一柵極通路。

本發明授權半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其包括：基板；在所述基板上在第一方向上延伸的第一有源圖案；在所述基板上在所述第一方向上延伸的第二有源圖案；在第二方向上延伸的第一柵電極，所述第二方向與所述第一方向相交，所述第一柵電極與所述第一有源圖案和所述第二有源圖案相交；在所述第一柵電極的一側在所述第二方向上延伸的第一源極漏極接觸，所述第一源極漏極接觸連接到所述第一有源圖案的第一源極漏極區域和所述第二有源圖案的第二源極漏極區域；連接到所述第一源極漏極接觸的第一源極漏極通路；在所述第二方向上延伸的第二柵電極，所述第二柵電極與所述第一有源圖案和所述第二有源圖案相交；在所述第一源極漏極接觸和所述第二柵電極之間在所述第二方向上延伸的第一單元分隔膜，所述第一單元分隔膜與所述第一有源圖案和所述第二有源圖案交叉；第一柵極通路，其連接到所述第二柵電極并與所述第一源極漏極通路一起沿著所述第一方向排列；以及第一連接配線，其在所述第一方向上延伸并且連接所述第一源極漏極通路和所述第一柵極通路。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。