恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司李欣怡獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利晶體管柵極及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113345893B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011389575.9，技術領域涉及：H10D84/85；該發明授權晶體管柵極及其形成方法是由李欣怡;陳智城;洪正隆;徐志安設計研發完成，并于2020-12-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本晶體管柵極及其形成方法在說明書摘要公布了：本公開涉及晶體管柵極及其形成方法。一種器件包括：第一納米結構；第二納米結構，第二納米結構位于第一納米結構之上；第一高k柵極電介質，第一高k柵極電介質圍繞第一納米結構設置；第二高k柵極電介質，第二高k柵極電介質圍繞第二納米結構設置；以及柵極電極，柵極電極位于第一高k柵極電介質和第二高k柵極電介質之上。柵極電極中位于第一納米結構和第二納米結構之間的部分包括填充第一高k柵極電介質和第二高k柵極電介質之間的區域的p型功函數金屬的第一部分。
本發明授權晶體管柵極及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括：第一納米結構；第二納米結構，所述第二納米結構位于所述第一納米結構之上；第一高k柵極電介質，所述第一高k柵極電介質圍繞所述第一納米結構設置；第二高k柵極電介質，所述第二高k柵極電介質圍繞所述第二納米結構設置；以及柵極電極，所述柵極電極位于所述第一高k柵極電介質和所述第二高k柵極電介質之上，其中，所述柵極電極中位于所述第一納米結構和所述第二納米結構之間的部分包括填充所述第一高k柵極電介質和所述第二高k柵極電介質之間的區域的p型功函數金屬的第一部分，其中，所述p型功函數金屬的所述第一部分具有第一厚度，其中，所述p型功函數金屬中位于所述第一納米結構的側壁上的第二部分具有第二厚度，并且其中，所述第一厚度大于所述第二厚度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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