恭喜深圳市國微電子有限公司杜明獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜深圳市國微電子有限公司申請的專利功率管隔離結構和功率集成電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113937153B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111055466.8，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權功率管隔離結構和功率集成電路是由杜明;羊軍;于順琴;蔣衛;茍肖瑩設計研發完成，并于2021-09-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本功率管隔離結構和功率集成電路在說明書摘要公布了：本申請提供了一種功率管隔離結構和功率集成電路，通過第一N型隔離環收集功率管產生的電子；通過第二P型隔離環與功率管形成電場吸收功率管產生的電子；通過第二N型隔離環吸收功率管產生的電子，從而減小少子向襯底的注入總量和襯底電流，減少少子橫向傳遞到達控制部分電路的干擾電流，達到保護控制電路正常工作的作用。
本發明授權功率管隔離結構和功率集成電路在權利要求書中公布了：1.一種功率管隔離結構，其特征在于，包括：第一N型隔離環，所述第一N型隔離環的襯底與功率管內第一P型隔離環的襯底連接且所述第一N型隔離環的摻雜端與所述第一P型隔離環的摻雜端或第二P型隔離環的摻雜端電連接，被配置為收集所述功率管產生的電子；所述第二P型隔離環，所述第二P型隔離環的襯底與所述第一N型隔離環的襯底連接，被配置為與所述功率管形成電場吸收所述功率管產生的電子；第二N型隔離環，所述第二N型隔離環的襯底與所述第二P型隔離環的襯底連接，被配置為吸收所述功率管產生的電子；N型隔離環包括N型摻雜、N阱、深N阱、N型埋層和第一襯底，所述第一襯底上鋪設所述N型埋層，所述N型埋層上鋪設所述深N阱，所述深N阱上鋪設所述N阱，所述N阱上鋪設所述N型摻雜；P型隔離環包括P型摻雜、P阱、P型埋層和第二襯底，所述第二襯底上鋪設所述P型埋層，所述P型埋層上鋪設所述P阱，所述P阱上鋪設所述P型摻雜。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳市國微電子有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市南山區高新南一道015號國微研發大廈六層A；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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