深圳市嘉合勁威電子科技有限公司陳任佳獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳市嘉合勁威電子科技有限公司申請的專利一種單晶內存修補雙晶內存的方法和裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114121123B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111447240.2，技術領域涉及：G11C29/18；該發明授權一種單晶內存修補雙晶內存的方法和裝置是由陳任佳;張麗麗;李秀坤;胡濤濤設計研發完成，并于2021-11-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種單晶內存修補雙晶內存的方法和裝置在說明書摘要公布了：本申請提供了一種單晶內存修補雙晶內存的方法和裝置，包括依據所述不良IC的不良區域將所述不良IC劃分至地址線組和位址線組；選擇所述地址線組內的任一分組中至少兩個不良IC以及選擇所述位址線組中至少一個不良IC，并依據所述不良IC的分組和預設規則，劃分所述不良IC中地址線位的IC位區；依據所述IC位區和所述不良IC的類型，調整×16IC雙晶封裝的PCB板的布局。通過利用出廠的×8單晶封裝的不良IC對×16雙晶封裝的不良IC進行修補，從而重組為合格產品，高效地利用了不良產品，節省資源，同時也在一定程度上有利于環境的保護。
本發明授權一種單晶內存修補雙晶內存的方法和裝置在權利要求書中公布了：1.一種單晶內存修補雙晶內存的方法，其特征在于，應用于×8單晶封裝的不良IC和×16雙晶封裝的不良IC的重組封裝，包括：依據所述不良IC的不良區域將所述不良IC劃分至地址線組和位址線組；其中，所述地址線組為僅×16雙晶封裝的不良IC中地址線不良的分組，所述位址線組為僅×8單晶封裝的不良IC中位址線不良的分組；其中，所述地址線組包括不良區域僅為0-3位的A分組、不良區域僅為4-7位的B分組、不良區域僅為8-11位的C分組、不良區域僅為12-15位的D分組和不良區域僅為8-15位的E分組；所述位址線組包括位址線BA0、BG1和BG0不良的分組；選擇所述地址線組內的任一分組中至少兩個不良IC以及選擇所述位址線組中至少一個不良IC，并依據所述不良IC的分組和預設規則，劃分所述不良IC中地址線位的IC位區；依據所述IC位區和所述不良IC的類型，調整×16IC雙晶封裝的PCB板的布局。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳市嘉合勁威電子科技有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市坪山區龍田街道老坑社區錦繡中路19號美訊數碼科技廠區1號廠房B1202A；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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