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龍圖騰網恭喜杭州電子科技大學申請的專利一種GaN HEMT功率器件I-V模型的建立方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114742007B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210138180.4，技術領域涉及：G06F30/373；該發明授權一種GaN HEMT功率器件I-V模型的建立方法是由劉艷;黃昌洋;程知群;王濤;陳思敏設計研發完成，并于2022-02-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種GaN HEMT功率器件I-V模型的建立方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種GaNHEMT功率器件I?V模型的建立方法，以MET模型與Angelov模型為基礎，從模型本身的各參數意義出發，分別改進和建立GaNHEMT的直流I?V正向導通特性模型與反向導通特性模型，并使得模型中每個參數都具有其意義；模型各參數可以采用1stOpt和matlab與測量的I?V數據直接擬合提取，而無需在特定電壓處提取參數的初始值，使得最終得到的GaNHEMT直流I?V模型更為精確。

本發明授權一種GaN HEMT功率器件I-V模型的建立方法在權利要求書中公布了：1.一種GaNHEMT功率器件I-V模型的建立方法，其特征在于，包括：基于MET模型與Angelov模型，建立初始的GaNHEMT直流I-V正向導通特性模型；獲取不同參數下的所述初始的GaNHEMT直流I-V正向導通特性模型中漏源電流Ids的值，確定各參數對所述初始的GaNHEMT直流I-V正向導通特性模型中漏源電流Ids影響的權重；測量GaNHEMT正向導通特性中漏源電流Ids、漏源電壓Vds及柵源電壓Vgs的值，并與所述初始的GaNHEMT直流I-V正向導通特性模型比對，優化所述初始的GaNHEMT直流I-V正向導通特性模型；建立初始的GaNHEMT直流I-V反向導通特性模型；測量GaNHEMT反向導通特性中漏源電流Ids、漏源電壓Vds及柵源電壓Vgs的值，并與所述初始的GaNHEMT直流I-V反向導通特性模型比對，優化所述初始的GaNHEMT直流I-V反向導通特性模型；根據正向導通特性模型及反向導通特性模型，得到非分段的GaNHEMT直流I-V模型；通過非線性擬合確定直流I-V模型中各參數的最優值；具體地，在所述基于MET模型與Angelov模型，建立初始的GaNHEMT直流I-V正向導通特性模型的步驟中，還包括：基于MET模型建立轉移特性方程： 基于AngelovI-V模型中表征輸出特性的方程建立輸出特性方程：Ioutput＝foutputVds＝tanhaVds1+λVds；其中，K1為飽和電流系數，b1為閾值電壓，c1為跨導相關的調制參數，a表征I-V曲線在膝點電壓區的斜率；λ為溝道長度調制參數，表征I-V曲線在飽和區的斜率；將所述轉移特性方程與所述輸出特性方程相乘，以構建所述初始的GaNHEMT直流I-V正向導通特性模型： 其中，K11為飽和電流調制系數，Vth1為閾值電壓，a10為膝點電壓區調制系數，λ11為溝道長度調制系數；具體地，在所述測量GaNHEMT正向導通特性中漏源電流Ids、漏源電壓Vds及柵源電壓Vgs的值，并與所述初始的GaNHEMT直流I-V正向導通特性模型比對，優化所述初始的GaNHEMT直流I-V正向導通特性模型的步驟中，還包括：對比所述初始的直流I-V正向導通特性模型與GaNHEMT的正向導通特性，引入柵源電壓Vgs相關的飽和電流調制系數K12、陷阱效應調制系數α1和β1、二階溝道長度調制系數λ12，對所述初始的直流I-V正向導通特性模型進行優化，優化后的模型為：

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