買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜江蘇芯德半導體科技股份有限公司申請的專利一種晶圓表面具有再鈍化層的凸塊高度測量方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115863199B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211695534.1，技術領域涉及：H01L21/66；該發明授權一種晶圓表面具有再鈍化層的凸塊高度測量方法是由承士彬;夏美保設計研發完成，并于2022-12-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種晶圓表面具有再鈍化層的凸塊高度測量方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種晶圓表面具有再鈍化層的凸塊高度測量方法，包括：在完成凸塊制造的晶圓上進行濺射一層鈦，形成鈦屏蔽層，鈦屏蔽層形成于凸塊和再鈍化層的表面；然后，測量凸塊上鈦屏蔽層的頂部最高信號得到頂部信號高度，測量對應該凸塊旁再鈍化層上鈦屏蔽層的信號高度得到底部信號高度，底部信號高度減去頂部信號高度直接得到該凸點高度；最后，將鈦屏蔽層去除。本發明提供的測量方法，通過在完成凸塊制造的晶圓上濺射鈦屏蔽層，鈦屏蔽層覆蓋在再鈍化層表面、以及凸塊的頂部，使光源無法穿透鈦屏蔽層，準確抓取基準面，測量出最高信號高度和底部信號高度，通過該方法得到的高度為凸塊真實的高度，以便正確評估工藝能力以及判斷產品質量。

本發明授權一種晶圓表面具有再鈍化層的凸塊高度測量方法在權利要求書中公布了：1.一種晶圓表面具有再鈍化層的凸塊高度測量方法，其特征在于，包括步驟：S1：完成凸塊制造：S1a、在來料晶圓表面涂布光刻膠作為再鈍化層，經過曝光、顯影在焊盤上方留出開口；S1b、在再鈍化層的開口內進行濺射工藝，形成濺射層；S1c、在再鈍化層上方涂布光刻膠，經過曝光、顯影將再鈍化層開口處露出濺射層；S1d、通過電鍍、去光刻膠、腐蝕、回流工藝，制作出凸塊；S2：濺射金屬鈦屏蔽層：將S1制得的晶圓進行濺射一層鈦，形成鈦屏蔽層，鈦屏蔽層形成于凸塊和再鈍化層的表面；S3：使用3D測量設備自動測量晶圓上所有凸塊的高度：測量凸塊上鈦屏蔽層的頂部最高信號得到頂部信號高度，測量對應該凸塊旁再鈍化層上鈦屏蔽層的信號高度得到底部信號高度，底部信號高度減去頂部信號高度直接得到該凸塊高度；S4：剝離濺射的鈦屏蔽層：使用鈦腐蝕液采用化學腐蝕的方法將鈦屏蔽層去除。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江蘇芯德半導體科技股份有限公司，其通訊地址為：211800 江蘇省無錫市浦口區浦口經濟開發區林春路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。