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龍圖騰網(wǎng)恭喜浙江奧首材料科技有限公司申請的專利一種半導(dǎo)體硅片蝕刻液、其制備方法與應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116333744B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211725718.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C09K13/06；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體硅片蝕刻液、其制備方法與應(yīng)用是由武文東;侯軍;田繼升設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-12-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種半導(dǎo)體硅片蝕刻液、其制備方法與應(yīng)用在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體硅片蝕刻液、其制備方法與應(yīng)用，本發(fā)明半導(dǎo)體硅片蝕刻液，包括重量配比如下的各組分：無機(jī)酸1?6份；銨鹽7?20份；有機(jī)酸30?40份；超純水30?60份。本發(fā)明半導(dǎo)體硅片蝕刻液的制備方法包括以下步驟：按照重量配比分別稱取各組份；先將超純水加入容器中，而后將其他組分加入容器，在攪拌下將容器的溫度穩(wěn)定在20?40℃內(nèi)，直至所有組分完全溶解，溶液呈無色或淡黃色，制備得到半導(dǎo)體硅片蝕刻液。本發(fā)明半導(dǎo)體硅片蝕刻液是一種安全、環(huán)保、高效的蝕刻液，該蝕刻液蝕刻速率穩(wěn)定，蝕刻面平整，對粗糙硅表面具有化學(xué)拋光作用，可在半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用，能解決芯片硅襯底的減薄問題。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體硅片蝕刻液、其制備方法與應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體硅片蝕刻液，其特征在于，包括重量配比如下的各組分：無機(jī)酸1-6份；銨鹽7-20份；有機(jī)酸30-40份；超純水30-60份；所述無機(jī)酸包括A組分和B組分，所述A組分為氫氟酸，所述B組分為鹽酸、氫溴酸、碘酸、硫酸、磷酸、硝酸和高氯酸中的一種或幾種；所述有機(jī)酸為間苯三甲酸和2-巰基乙磺酸。

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