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龍圖騰網(wǎng)恭喜中國航發(fā)北京航空材料研究院申請的專利一種鎂硅鈰氧雙陶瓷層結(jié)構(gòu)熱障涂層的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116426884B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310299746.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C14/30；該發(fā)明授權(quán)一種鎂硅鈰氧雙陶瓷層結(jié)構(gòu)熱障涂層的制備方法是由許振華;甄真;王鑫;申造宇;牟仁德設(shè)計研發(fā)完成，并于2023-03-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種鎂硅鈰氧雙陶瓷層結(jié)構(gòu)熱障涂層的制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明是一種鎂硅鈰氧雙陶瓷層結(jié)構(gòu)熱障涂層的制備方法，該方法是采用電子束物理氣相沉積工藝，以單一組分的Mg3Si0.8Ce0.22O7陶瓷靶材為原料，在鎳基高溫合金表面制備出具有雙陶瓷層結(jié)構(gòu)的Mg2SiO4MgSi0.6Ce0.42O6熱障涂層，該方法通過控制電子束物理氣相沉積設(shè)備的電子槍能量密度、燈絲電流、加速高壓、占空比、真空度、靶材進(jìn)給速率、O2氣體流量、Ar氣體流量、沉積時間等因素，在高溫合金表面上制備出以Mg2SiO4為陶瓷底層，MgSi0.6Ce0.42O6為陶瓷頂層的雙層結(jié)構(gòu)熱障涂層。該熱障涂層具有高溫物相穩(wěn)定、抗燒結(jié)、低熱導(dǎo)、高熱膨脹系數(shù)以及與金屬粘結(jié)層的界面化學(xué)相容性匹配，適合于1300℃以上的高溫氧化腐蝕環(huán)境下使用，能提高航空發(fā)動機(jī)渦輪葉片材料的工作承載溫度。

本發(fā)明授權(quán)一種鎂硅鈰氧雙陶瓷層結(jié)構(gòu)熱障涂層的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種鎂硅鈰氧雙陶瓷層結(jié)構(gòu)熱障涂層的制備方法，其特征在于：該熱障涂層適用于鎳基單晶高溫合金，該熱障涂層的雙陶瓷層結(jié)構(gòu)為Mg2SiO4MgSi0.6Ce0.42O6，該熱障涂層的制備方法是電子束物理氣相沉積工藝，該熱障涂層制備用原料為單一組分的Mg3Si0.8Ce0.22O7陶瓷靶材，該陶瓷靶材的成分及重量百分比為：MgO42.29％，SiO233.63％，CeO224.08％，該陶瓷靶材的純度大于99％，該熱障涂層制備用工藝氣體為：O2氣體和Ar氣體，純度均大于99.999％；該熱障涂層的制備方法的步驟包括：步驟一、在鎳基單晶高溫合金表面制備Mg2SiO4陶瓷底層，其工藝參數(shù)為：電子槍的能量密度1.1×104Jcm2～1.4×104Jcm2、燈絲電流6.4A～7.6A、加速高壓8.6kV～9.2kV、占空比28％～36％、真空度2.6×10-3Pa～3.4×10-3Pa、靶材進(jìn)給速率0.3mmmin～0.7mmmin、O2氣體流量8mLmin～14mLmin、Ar氣體流量280mLmin～320mLmin、沉積時間180min～210min；步驟二、在Mg2SiO4陶瓷底層上制備MgSi0.6Ce0.42O6陶瓷頂層，其工藝參數(shù)為：電子槍的能量密度2.8×104Jcm2～4.2×104Jcm2、燈絲電流8.2A～8.8A、加速高壓10.4kV～11.2kV、占空比44％～56％、真空度7.2×10-3Pa～8.6×10-3Pa、靶材進(jìn)給速率1.3mmmin～1.7mmmin、O2氣體流量220mLmin～260mLmin、Ar氣體流量31mLmin～39mLmin、沉積時間90min～120min。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國航發(fā)北京航空材料研究院，其通訊地址為：100095 北京市海淀區(qū)北京市81號信箱；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。