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恭喜拓荊創益(沈陽)半導體設備有限公司陶中博獲國家專利權

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龍圖騰網恭喜拓荊創益(沈陽)半導體設備有限公司申請的專利一種半導體腔室雙加熱盤的溫度控制系統和方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN117524930B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202311475240.2,技術領域涉及:H01L21/67;該發明授權一種半導體腔室雙加熱盤的溫度控制系統和方法是由陶中博;張亞新;楊萌;溫宏營;阮大鵬設計研發完成,并于2023-11-07向國家知識產權局提交的專利申請。

一種半導體腔室雙加熱盤的溫度控制系統和方法在說明書摘要公布了:本發明涉及半導體制造技術領域,更具體的說,涉及一種半導體腔室雙加熱盤的溫度控制系統和方法。本發明提供了一種半導體腔室雙加熱盤的溫度控制系統,包括:第一加熱盤和第二加熱盤,溫度采集單元,對第一加熱盤和第二加熱盤進行溫度采集;控制單元,設置于腔體外,調整執行單元的輸出功率;執行單元,對第一加熱盤、第二加熱盤進行加熱;其中,所述控制單元為PID控制器,選擇多個溫度區域段進行分段PID整定,對執行單元進行PID調節。本發明可以在不同溫度環境下對兩個加熱盤的溫度分別進行采集與校準,結合不同溫度下PID控制曲線的采集與改進,配合溫度多段PID整定,實現對單腔內兩個加熱盤的精準溫度控制。

本發明授權一種半導體腔室雙加熱盤的溫度控制系統和方法在權利要求書中公布了:1.一種半導體腔室雙加熱盤的溫度控制系統,其特征在于,包括:第一加熱盤和第二加熱盤,設置于腔體內,所述第一加熱盤位于第二加熱盤的上方;溫度采集單元,設置在第一加熱盤和第二加熱盤上,對第一加熱盤和第二加熱盤進行溫度采集;控制單元,設置于腔體外,根據接收的第一加熱盤、第二加熱盤的溫度信息,調整執行單元的輸出功率;執行單元,設置于腔體外,分別與第一加熱盤、第二加熱盤連接,對第一加熱盤、第二加熱盤進行加熱;其中,所述控制單元為PID控制器,選擇多個溫度區域段進行分段PID整定,對執行單元進行PID調節;所述控制單元通過以下方式進行分段PID整定:對第一加熱盤和第二加熱盤進行升溫,生成對應的兩條升溫曲線;將2條升溫曲線的兩個交點作為第一拐點和第二拐點;將第一拐點和第二拐點作為分段整定的第一整定溫度和第二整定溫度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人拓荊創益(沈陽)半導體設備有限公司,其通訊地址為:110171 遼寧省沈陽市渾南區水家900號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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