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龍圖騰網恭喜英特爾公司申請的專利導電過孔及金屬線端制造及由其所得的結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111052345B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201780094240.4，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權導電過孔及金屬線端制造及由其所得的結構是由C·H·華萊士;R·帕特爾;H·樸;M·K·哈蘭;D·巴蘇;C·W·沃德;R·A·布雷恩設計研發完成，并于2017-09-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本導電過孔及金屬線端制造及由其所得的結構在說明書摘要公布了：描述了導電過孔和金屬線端制造。在示例中，一種互連結構包括在硬掩模層上的第一層間電介質ILD，其中，ILD包括第一ILD開口和第二ILD開口?；ミB結構還包括ILD層上的蝕刻停止層ESL，其中，ESL包括與第一ILD開口對準以形成第一過孔開口的第一ESL開口，并且其中，ESL層包括與第二ILD開口對準的第二ESL開口?；ミB結構還包括第一過孔開口中的第一過孔；第一ESL上的第二ILD層；第二ILD層中的金屬線，其中，金屬線與第一過孔接觸，并且其中，金屬線包括第一金屬開口，并且其中，金屬線包括與第二ILD開口和第二ESL開口對準以形成第二過孔開口的第二金屬開口?；ミB結構還包括第一金屬開口中的金屬線端，并進一步包括金屬線中的第二過孔，其中，第二過孔在第二過孔開口中。

本發明授權導電過孔及金屬線端制造及由其所得的結構在權利要求書中公布了：1.一種互連結構，包括：硬掩模層上的第一層間電介質ILD層，其中，所述第一層間電介質層包括第一層間電介質開口和第二層間電介質開口；所述第一層間電介質層上的蝕刻停止層ESL，其中，所述蝕刻停止層包括與所述第一層間電介質開口對準以形成第一過孔開口的第一蝕刻停止層開口，并且其中，所述蝕刻停止層包括與所述第二層間電介質開口對準的第二蝕刻停止層開口；所述第一過孔開口中的第一過孔；所述第一蝕刻停止層上的第二層間電介質層；所述第二層間電介質層中的金屬線，其中，所述金屬線與所述第一過孔接觸，并且其中，所述金屬線包括第一金屬開口，并且其中，所述金屬線包括與所述第二層間電介質開口和所述蝕刻停止層開口對準以形成第二過孔開口的第二金屬開口；所述第一金屬開口中的金屬線端；以及所述金屬線中的第二過孔，其中，所述第二過孔在所述第二過孔開口中。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英特爾公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。