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龍圖騰網恭喜深圳市中科半導體科技有限公司申請的專利一種包含大失配應力調控結構的硅襯底氮化鎵晶片及其制備方法和應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119252731B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411160694.5，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權一種包含大失配應力調控結構的硅襯底氮化鎵晶片及其制備方法和應用是由楊少延;任順標;劉祥林;楊瑞設計研發完成，并于2024-08-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種包含大失配應力調控結構的硅襯底氮化鎵晶片及其制備方法和應用在說明書摘要公布了：本發明公開了一種包含大失配應力調控結構的硅襯底氮化鎵晶片及其制備方法和應用，涉及半導體材料技術領域。該包含大失配應力調控結構的硅襯底氮化鎵晶片由硅襯底、氮化鋁非晶薄膜阻擋層、超薄多孔氧化鋁弱鍵合解耦合層、氮化鋁單晶薄膜成核層模板層及氮化鎵單晶薄膜質量提升層依次疊加構成。本發明通過超薄多孔氧化鋁弱鍵合解耦合層中的孔隙大小和孔隙密度調控，從而實現其上氮化鋁單晶薄膜成核層模板層的弱鍵合解耦合效果調控，進而實現硅襯底氮化鎵材料的大失配應力調控、無裂紋厚度與材料結晶質量及材料制備效率提升。本發明的包含大失配應力調控結構的硅襯底氮化鎵晶片可以應用于研制生產氮化鎵基功率電子器件、微波射頻器件及光電子器件。

本發明授權一種包含大失配應力調控結構的硅襯底氮化鎵晶片及其制備方法和應用在權利要求書中公布了：1.一種包含大失配應力調控結構的硅襯底氮化鎵晶片，其特征在于，包括：一厚度300-2000μm的硅單晶襯底；一厚度50-100nm的氮化鋁非晶薄膜阻擋層，設于所述硅單晶襯底上；一厚度20-50nm的超薄多孔氧化鋁弱鍵合解耦合層，設于所述氮化鋁非晶薄膜阻擋層上；一厚度200-500nm的氮化鋁單晶薄膜成核層模板層，設于所述超薄多孔氧化鋁弱鍵合解耦合層上；一厚度不低于3μm的氮化鎵單晶薄膜質量提升層，設于所述氮化鋁單晶薄膜成核層模板層上；其中，所述包含大失配應力調控結構的硅襯底氮化鎵晶片的制備方法包括如下步驟：S1、準備一硅單晶襯底，對所述硅單晶襯底表面進行高真空高溫烘烤處理以去除表面殘存氧化層和吸附的雜質；S2、在所述硅單晶襯底上形成氮化鋁非晶薄膜阻擋層；S3、在所述氮化鋁非晶薄膜阻擋層上形成具有C向單一擇優取向的超薄鋅鋁氧多晶薄膜層；S4、在所述具有C向單一擇優取向的超薄鋅鋁氧多晶薄膜層上形成具有C向單一擇優取向的氮化鋁多晶薄膜層；S5、在氫氣氣氛下，對具有C向單一擇優取向的超薄鋅鋁氧多晶薄膜層進行高溫高真空退火處理，使超薄鋅鋁氧多晶薄膜層中的鋅組分分解，并由具有C向單一擇優取向的氮化鋁多晶薄膜層的晶界間隙析出，得到所述超薄多孔氧化鋁弱鍵合解耦合層；S6、在氨氣氣氛下，對具有C向單一擇優取向的氮化鋁多晶薄膜層進行高溫高真空退火處理，使所述氮化鋁多晶薄膜層重結晶，得到所述氮化鋁單晶薄膜成核層模板層；S7、在包含硅單晶襯底、氮化鋁非晶薄膜阻擋層、超薄多孔氧化鋁弱鍵合解耦合層及氮化鋁單晶薄膜成核層模板層的大失配應力調控結構上形成氮化鎵單晶薄膜質量提升層，得到包含大失配應力調控結構的硅襯底氮化鎵晶片；其中，所述步驟S5中，氫氣氣氛下高溫高真空退火的條件包括：退火溫度700-900℃，氫氣氣氛壓力50-100Pa；所述步驟S6中，氨氣氣氛下高溫高真空退火的條件包括：退火溫度900-1100℃，氨氣氣氛壓力5-50Pa。

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