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龍圖騰網恭喜江蘇通用半導體有限公司申請的專利碳化硅晶錠激光剝離設備及激光剝離方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118951927B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411418562.8，技術領域涉及：B24B7/22；該發明授權碳化硅晶錠激光剝離設備及激光剝離方法是由陶為銀;閆興設計研發完成，并于2024-10-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本碳化硅晶錠激光剝離設備及激光剝離方法在說明書摘要公布了：本發明公開了碳化硅晶錠激光剝離設備及激光剝離方法，包括研磨機構、毛化機構、至少兩個改質機構、剝離測試機構以及收集機構。優點：通過研磨機構對晶錠進行粗磨和精磨，能保證晶錠的平面精度，晶錠先經過毛化處理再進行改質機構改質，使得改質層進行脈沖激光多次掃面聚焦成型，能夠有效保證改質產生的改質點與改質裂紋有效連成面，便于剝離；毛化作用點阻斷了多次改質過程中改質裂紋的向下延展，從而有效地控制了最終改質層的厚度，能夠有效減少晶錠的損耗，提高切割效率并降低材料浪費；通過剝離測試機構對晶片進行吸附后橫向移動進行剝離，不僅可以檢測出未剝離的晶片，還能夠保證未剝離成功的晶片不會被損壞。

本發明授權碳化硅晶錠激光剝離設備及激光剝離方法在權利要求書中公布了：1.碳化硅晶錠激光剝離設備，其特征在于：包括研磨機構1、毛化機構3、至少兩個改質機構4、剝離測試機構6以及收集機構5，所述研磨機構1用于對晶錠進行粗磨和精磨，所述毛化機構3用于對晶錠毛化處理，所述改質機構4用于對毛化后的晶錠進行改質，所述剝離測試機構6用于對改質形成的晶片進行剝離以及剝離測試，所述收集機構5用于對晶片進行收集；所述毛化機構3包括三號機臺31、設置在三號機臺31上的三號XY雙軸移動平臺32、受三號XY雙軸移動平臺32驅動的三號載臺33、設置在三號機臺31上的三號支架34、設置在三號機臺31上的三號接料組件36、設置在三號支架34上的三號吸放晶錠組件35、設置在三號支架34上的三號激光照射單元37，所述三號激光照射單元37包括設置在三號支架34上的三號激光器371、三號上光學箱372、三號下光學箱373、設置在三號下光學箱373上的三號激光照射物鏡374以及三號位移傳感器375；所述剝離測試機構6包括第一機臺61、設置在第一機臺61上的水槽62、設置在第一機臺61上的第一旋轉接料組件63、設置在第一機臺61上的移載測試組件64以及設置在水槽62上的真空載臺65，所述移載測試組件64包括設置在第一機臺61上的三軸模組641、受三軸模組641驅動的安裝板642、設置在安裝板642的第一夾爪組件643、超聲波發生器組件644以及吸附測試組件645，所述超聲波發生器組件644與吸附測試組件645可同時伸入水槽62內，所述吸附測試組件645包括沿Z軸方向固定設置在安裝板642上且輸出端向下的一號氣缸A601、固定設置在一號氣缸A601輸出端的真空吸盤602，所述真空吸盤602可伸入水槽62內，所述超聲波發生器組件644包括沿Z軸方向固定設置在安裝板642上且輸出端向下的一號氣缸B603以及固定設置在一號氣缸B603輸出端的超聲波換能器604，所述超聲波換能器604與真空吸盤602均可伸入水槽62內；所述研磨機構1包括一號機臺11、設置在一號機臺11上的一號搬運機器人12、設置在一號機臺11上的粗磨工位13、設置在一號機臺11上的精磨工位14、設置在一號機臺11上的清洗吹干工位15、設置在一號機臺11上的上料載臺16和下料載臺17，所述一號搬運機器人12用于將晶錠在上料載臺16、粗磨工位13、精磨工位14、清洗吹干工位15和下料載臺17之間轉移。

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