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龍圖騰網恭喜橫店集團東磁股份有限公司申請的專利一種低高度差背拋光隔離區結構TBC電池及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119170681B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411639238.9，技術領域涉及：H10F77/42；該發明授權一種低高度差背拋光隔離區結構TBC電池及其制備方法是由吳成坤;徐君;任勇;陳德爽設計研發完成，并于2024-11-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種低高度差背拋光隔離區結構TBC電池及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及太陽能電池領域，公開了一種低高度差背拋光隔離區結構TBC電池及其制備方法。本發明TBC電池硅片背面的隔離區表面依次設有AlOx層、高折射率SiNx層和低折射率SiNx層。首先，與常規隔離區表面為金字塔絨面相比，本發明為拋光隔離區結構，可有效增強硅片背面對光的內反射效應，提升電池光學性能；其次，本發明TBC電池中硅片基底的隔離區表面與其兩側的p區、n區表面的高度差較小，幾乎齊平，有利于改善載流子在硅片基底的傳輸性能，同時提高成品電池良率。

本發明授權一種低高度差背拋光隔離區結構TBC電池及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種低高度差背拋光隔離區結構TBC電池的制備方法，其特征在于包括：S1、硅片雙面拋光；S2、背面沉積AlOx層、高折射率SiNx層；S3、開槽p區和n區的高折射率SiNx層；S4、堿清洗；S5、背面沉積隧穿氧化層、本征多晶硅層；S6、硼擴散，使本征多晶硅層轉為硼擴散層和BSG層；S7、開槽n區和隔離區的BSG層；S8、堿清洗；S9、背面沉積隧穿氧化層、本征多晶硅層；S10、磷擴散，使本征多晶硅層轉為磷擴散層和PSG層；S11、開槽p區和隔離區的PSG層；S12、去繞鍍；S13、清洗制絨；S14、正面沉積AlOx層；S15、正、背面沉積低折射率SiNx層；S16、絲網印刷，燒結，光注入；所得TBC電池硅片背面為呈交叉指狀分布的p區和n區，p區和n區的間隙處為隔離區；p區表面與隔離區表面的高度差≤0.1μm，n區表面與隔離區表面的高度差≤1μm；低折射率SiNx層的折射率低于高折射率SiNx層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人橫店集團東磁股份有限公司，其通訊地址為：322100 浙江省金華市東陽市橫店鎮華夏大道233號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。