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龍圖騰網恭喜煙臺齊新半導體技術研究院有限公司申請的專利一種基于陰影掩膜工藝的半導體預制件及預制件制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119191224B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411707766.3，技術領域涉及：B81C1/00；該發明授權一種基于陰影掩膜工藝的半導體預制件及預制件制備方法是由張子安;黃兆興設計研發完成，并于2024-11-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于陰影掩膜工藝的半導體預制件及預制件制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于陰影掩膜工藝的半導體預制件及預制件制備方法，應用于半導體制備領域，該預制件包括：層疊設置的待加工半導體器件和陰影掩膜；待加工半導體器件靠向陰影掩膜的第一表面，設置有待加工區域，陰影掩膜沿層疊方向對應形成有裸露出待加工區域的第一通孔；陰影掩膜靠向待加工半導體器件的第二表面，通過圖形化熱剝離膠與待加工半導體器件連接；圖形化熱剝離膠為對應第一通孔形成有第二通孔的厚度均勻的熱剝離膠。本發明利用厚度均勻的圖形化熱剝離膠將待加工半導體器件和陰影掩膜連接，保證了二者連接的穩固性，同時能夠提高了二者間隙的一致性，設置的圖形化熱剝離膠經加熱會失效，便于在半導體器件制備完成后與陰影掩膜分離。

本發明授權一種基于陰影掩膜工藝的半導體預制件及預制件制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于陰影掩膜工藝的半導體預制件，其特征在于，包括：層疊設置的待加工半導體器件（10）和陰影掩膜（20）；所述待加工半導體器件（10）靠向所述陰影掩膜（20）的第一表面，設置有待加工區域（12），所述陰影掩膜（20）沿層疊方向對應形成有裸露出所述待加工區域（12）的第一通孔（21）；所述陰影掩膜（20）靠向所述待加工半導體器件（10）的第二表面，通過圖形化熱剝離膠（30）與所述待加工半導體器件（10）連接；所述圖形化熱剝離膠（30）為對應所述第一通孔（21）形成有第二通孔（31）的厚度均勻的熱剝離膠；所述待加工半導體器件（10）為待加工微機電系統（11），且在所述第一表面處，位于所述待加工區域（12）的外側形成有鏤空結構（13）；所述圖形化熱剝離膠（30）為對應所述鏤空結構（13）和所述待加工區域（12）形成有所述第二通孔（31）的厚度均勻的熱剝離膠；所述第二表面對應設置所述圖形化熱剝離膠（30）的區域形成有限位凹槽；所述圖形化熱剝離膠（30）設置在所述限位凹槽中；所述待加工區域（12）處形成有經物理氣相沉積工藝制備的金屬層；所述圖形化熱剝離膠（30）為一種加熱后會發泡失去粘性的壓敏膠；所述圖形化熱剝離膠（30）為一體成型制備的圖形化熱剝離膠；在完成基于陰影掩膜工藝的半導體預制件的制備之后，還包括：對經過物理氣相沉積工藝處理的所述基于陰影掩膜工藝的半導體預制件進行加熱處理，使所述圖形化熱剝離膠（30）粘性失效，分離所述陰影掩膜（20）；所述圖形化熱剝離膠（30）為利用機械裁切工藝或激光切割工藝，去除所述陰影掩膜（20）的所述第二表面處，對應于所述鏤空結構（13）的區域內的熱剝離膠得到；所述陰影掩膜（20）由提供陰影掩膜預制件，所述陰影掩膜預制件沿厚度方向的一側表面設置有圖形化掩膜層；對所述圖形化掩膜層裸露出的所述陰影掩膜預制件進行干法刻蝕得到。

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