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恭喜大連宗益科技發(fā)展有限公司張大力獲國(guó)家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)恭喜大連宗益科技發(fā)展有限公司申請(qǐng)的專利一種分散邊緣電場(chǎng)的SiC功率器件獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN119421472B

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202510019563.3,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10D62/10;該發(fā)明授權(quán)一種分散邊緣電場(chǎng)的SiC功率器件是由張大力;王鵬程;溫永澤;于永康;房吉君;徐勝獻(xiàn);李想;金憲迪設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2025-01-07向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

一種分散邊緣電場(chǎng)的SiC功率器件在說明書摘要公布了:本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種分散邊緣電場(chǎng)的SiC功率器件,包括歐姆接觸電極、N+SiC襯底、N?SiC外延以及肖特基接觸電極,N?SiC外延包括與N+SiC襯底固定連接的圓餅件,以及與圓餅件一體成型的圓臺(tái)件,圓臺(tái)件的斜面開設(shè)有等間距設(shè)置的若干個(gè)環(huán)形槽,環(huán)形槽內(nèi)固定設(shè)有P型結(jié)終端,P型結(jié)終端上遠(yuǎn)離圓餅件的頂角位于環(huán)形槽外,圓餅件的上表面且位于圓臺(tái)件外固定設(shè)有陶瓷封裝,陶瓷封裝的外表面固定設(shè)有散熱片。本發(fā)明中P型結(jié)終端在N?SiC外延上呈同心階梯式分布,可以逐步減小終端區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度,有效緩解邊緣的電場(chǎng)集中現(xiàn)象,從而提高器件的擊穿電壓,減少擊穿風(fēng)險(xiǎn),并且可以降低漏電流,提高器件的靜態(tài)性能和開關(guān)損耗。

本發(fā)明授權(quán)一種分散邊緣電場(chǎng)的SiC功率器件在權(quán)利要求書中公布了:1.一種分散邊緣電場(chǎng)的SiC功率器件,包括由下至上依次連接的歐姆接觸電極100、N+SiC襯底200、N-SiC外延300以及肖特基接觸電極400,其特征在于:所述N-SiC外延300包括與所述N+SiC襯底200固定連接的圓餅件301,以及與所述圓餅件301一體成型的圓臺(tái)件302,所述圓臺(tái)件302的斜面開設(shè)有等間距設(shè)置的若干個(gè)環(huán)形槽303,且相鄰兩個(gè)所述環(huán)形槽303的垂直間距大于相鄰兩個(gè)所述環(huán)形槽303的水平間距,所述環(huán)形槽303內(nèi)固定設(shè)有P型結(jié)終端500,所述P型結(jié)終端500上遠(yuǎn)離所述圓餅件301的頂角位于所述環(huán)形槽303外,所述圓餅件301的上表面且位于所述圓臺(tái)件302外固定設(shè)有陶瓷封裝600,所述陶瓷封裝600的外表面固定設(shè)有散熱片700;所述陶瓷封裝600為圓臺(tái)型結(jié)構(gòu),所述肖特基接觸電極400的上表面固定貫穿所述陶瓷封裝600的上表面中心,所述陶瓷封裝600的斜面開設(shè)有若干個(gè)通孔601,所述通孔601的長(zhǎng)度方向指向所述P型結(jié)終端500上遠(yuǎn)離所述圓餅件301的頂角,所述散熱片700上靠近所述陶瓷封裝600的端面一體成型有中空導(dǎo)熱柱701,所述中空導(dǎo)熱柱701固定貫穿所述通孔601且伸入所述陶瓷封裝600內(nèi)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人大連宗益科技發(fā)展有限公司,其通訊地址為:116000 遼寧省大連市大連高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)凌秀路60號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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