買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜深圳市森國科科技股份有限公司申請的專利具有異質結的Si/SiC MOS器件及制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119584591B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510133698.2，技術領域涉及：H10D30/63；該發明授權具有異質結的Si/SiC MOS器件及制作方法是由楊嘯;楊承晉;劉濤;蘭華兵設計研發完成，并于2025-02-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本具有異質結的Si/SiC MOS器件及制作方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種具有異質結的SiSiCMOS器件和制作方法，該器件包括：硅襯底、硅區、碳化硅區和柵極區；硅區，位于硅襯底之上，用于實現器件的高溝道遷移率；碳化硅區，位于硅區之上，用于使器件具有高擊穿電壓，以及在零柵壓下，還具有低擊穿電壓的狀態；柵極區在垂直方向上貫穿碳化硅區，柵極區的底部位于硅區中。該器件采用Si?SiC異質結的結構，同時兼具了SiC擊穿電壓高和Si溝道遷移率高的優勢，具有提高擊穿電壓，降低導通電阻和功耗低等優勢，還具有正向導通、柵極0V低壓擊穿和柵極負壓是高壓的三種不同狀態，并增加了低壓條件下的使用功能，增強器件在低壓條件下的使用穩定性。

本發明授權具有異質結的Si/SiC MOS器件及制作方法在權利要求書中公布了：1.一種具有異質結的SiSiCMOS器件，其特征在于，包括：硅襯底、硅區、碳化硅區和柵極區；所述硅區，位于所述硅襯底之上，用于實現所述器件的高溝道遷移率；所述碳化硅區，位于所述硅區之上，用于使所述器件具有高擊穿電壓，以及在零柵壓下，還具有低擊穿電壓的狀態；所述柵極區在垂直方向上貫穿所述碳化硅區，所述柵極區的底部位于所述硅區中；所述硅區包括：硅外延層、P型基區和N+型有源區；所述硅外延層位于所述硅襯底之上；所述P型基區和所述N+型有源區均位于所述硅外延層中，且所述P型基區的上表面、所述N+型有源區的上表面和所述硅外延層的上表面位于同一水平面；所述P型基區呈間隔分布；所述P型基區和所述N+型有源區一一對應設置，且所述N+型有源區位于所述P型基區中；所述碳化硅區包括：P區、P型阱區和N型有源區；所述N型有源區與所述N+型有源區一一對應設置，且所述N型有源區位于所述N+型有源區之上；所述N型有源區位于所述柵極區的周圍，且所述N型有源區與所述柵極區相接觸；所述P區與所述P型基區一一對應設置，且所述P區位于所述P型基區之上；所述P區位于所述N型有源區的遠離所述柵極區的一側，且所述P區與所述N型有源區相接觸；所述P型阱區位于所述P區和所述N型有源區中，所述P型阱區與所述柵極區之間在水平方向上存在貼合距離；所述器件用于通過碳化硅區和硅區形成的異質結結構，使器件具有正柵偏導通、柵極0V低壓擊穿和柵極負壓的三種不同狀態的開關特性，以及在低擊穿電壓狀態，對回路中電流做泄放。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳市森國科科技股份有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市南山區粵海街道高新南九道10號深圳灣生態園10棟A座12層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。