買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜南開大學申請的專利一種基于單分子手性雙自由基的光電子器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119653979B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510174856.9，技術領域涉及：H10K50/11；該發明授權一種基于單分子手性雙自由基的光電子器件及其制備方法是由賈傳成;岳非凡;宋樹鑫;田娣;郭雪峰設計研發完成，并于2025-02-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于單分子手性雙自由基的光電子器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及光電子器件技術領域，尤其涉及一種基于單分子手性雙自由基的光電子器件及其制備方法，該光電子器件包括光學微腔和發光核心單元，發光核心單元設置于光學微腔內；其中，光學微腔包括縱向依次設置的多層介質第一反射層、透明間隔層和第二反射層組成；多層介質第一反射層和透明間隔層之間有間距，第二反射層堆疊于透明間隔層之上；發光核心單元設置于多層介質第一反射層和透明間隔層之間，用于實現電致圓偏振發光。該設計使光學微腔內的發光核心單元產生的圓偏振光多次反射和有效地傳播，進而實現圓偏振發光的調控和增強，有效地保證了光電子器件的穩定性。

本發明授權一種基于單分子手性雙自由基的光電子器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于單分子手性雙自由基的光電子器件，其特征在于，包括光學微腔和發光核心單元，所述發光核心單元設置于所述光學微腔內；其中，所述光學微腔包括縱向依次設置的多層介質第一反射層、透明間隔層和第二反射層組成；所述多層介質第一反射層和所述透明間隔層之間有間距，所述第二反射層堆疊于所述透明間隔層之上；所述發光核心單元設置于所述多層介質第一反射層和所述透明間隔層之間，用于實現電致圓偏振發光；所述基于單分子手性雙自由基的光電子器件還包括石墨烯源端電極和石墨烯漏端電極，所述石墨烯源端電極和所述石墨烯漏端電極分別設置于所述多層介質第一反射層靠近所述發光核心單元的表層左右兩端；所述發光核心單元由單分子手性雙自由基分子組成的分子異質結構成，所述手性雙自由基分子的結構式如下所示： ；所述手性雙自由基分子的兩個NH2端分別與所述石墨烯源端電極和所述石墨烯漏端電極通過酰胺鍵連接。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南開大學，其通訊地址為：300071 天津市南開區衛津路94號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。