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龍圖騰網恭喜蘇州大學申請的專利一種具有高開關比和低關態電流密度的憶阻器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119677371B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510186408.0，技術領域涉及：H10K71/00；該發明授權一種具有高開關比和低關態電流密度的憶阻器及其制備方法是由江林;魯婉妤;李東;孫迎輝設計研發完成，并于2025-02-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種具有高開關比和低關態電流密度的憶阻器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明屬于憶阻器領域，公開了一種具有高開關比和低關態電流密度的憶阻器及其制備方法，所述制備方法包括以下步驟：將表面羥基化后的ITO襯底浸泡于3?氨丙基三乙氧基硅烷的乙醇溶液中，使得ITO襯底表面修飾3?氨丙基三乙氧基硅烷分子，得到表面帶正電的ITO襯底；將表面帶正電的ITO襯底浸泡于金納米粒子膠體溶液中，得到組裝有金納米粒子的襯底，在組裝有金納米粒子的襯底表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，烘烤至干后鍍鋁膜，得到具有高開關比和低關態電流密度的憶阻器。本發明所述的憶阻器同時具有超高的開關比和超低的關態電流密度、器件可以在高電阻和低電阻狀態之間的穩定轉換、且具有較長時間的保持特性以及良好的工藝重復性。

本發明授權一種具有高開關比和低關態電流密度的憶阻器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種具有高開關比和低關態電流密度的憶阻器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：將表面羥基化后的ITO襯底浸泡于3-氨丙基三乙氧基硅烷的乙醇溶液中，使得ITO襯底表面修飾3-氨丙基三乙氧基硅烷分子，得到表面帶正電的ITO襯底；將表面帶正電的ITO襯底浸泡于金納米粒子膠體溶液中3~12h，所述金納米粒子的直徑為10~16nm，得到組裝有金納米粒子的襯底，在組裝有金納米粒子的襯底表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，烘烤至干后鍍鋁膜，得到具有高開關比和低關態電流密度的憶阻器。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州大學，其通訊地址為：215299 江蘇省蘇州市吳江區久泳西路1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。