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龍圖騰網恭喜中北大學申請的專利一種雙面納米壓印結構的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119805855B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510293169.9，技術領域涉及：G03F7/00；該發明授權一種雙面納米壓印結構的制備方法是由李志強;雷程;梁庭;王思哲;王濤龍;余建剛;李豐超;賈平崗設計研發完成，并于2025-03-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種雙面納米壓印結構的制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種雙面納米壓印結構的制備方法，其中，方法包括：形成第一光刻膠涂層，并基于第一光刻膠涂層進行圖案化處理，對應第一光刻膠涂層的襯底遮擋部；對第一襯底A面進行刻蝕，形成凹槽結構，并將所述襯底遮擋部進行去除；將第一襯底、第二襯底進行襯底鍵合，以形成密封腔體；形成第一UV保護層，并對第二襯底B面進行結構化處理，形成第一納米結構層；去除第一UV保護層，在第二襯底B面上形成第二UV保護層，并對第一襯底B面進行結構化處理，形成位于所述第一襯底B面上的第二納米結構層，其中，所述第二納米結構層包括呈現陣列排布的多個第二結構圓孔；去除第二UV保護層，得到雙面納米壓印結構。本發明至少提高了制備效率和一致性。

本發明授權一種雙面納米壓印結構的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種雙面納米壓印結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：在第一襯底的第一襯底A面上形成第一光刻膠涂層，并基于所述第一光刻膠涂層進行圖案化處理，得到位于所述第一襯底A面兩側的對應所述第一光刻膠涂層的襯底遮擋部；對所述第一襯底的第一襯底A面進行刻蝕，形成位于所述第一襯底A面中部的凹槽結構，并將所述襯底遮擋部進行去除；將第一襯底、第二襯底以第一襯底的第一襯底A面貼合于第二襯底的第二襯底A面的方式進行襯底鍵合，以使所述凹槽結構形成密封腔體；在所述第一襯底的第一襯底B面上形成第一UV保護層，并對所述第二襯底的第二襯底B面進行結構化處理，形成位于所述第二襯底B面上的第一納米結構層，其中，所述第一納米結構層包括呈現陣列排布的多個第一結構圓孔；去除第一UV保護層，在所述第二襯底的第二襯底B面上形成第二UV保護層，并對所述第一襯底的第一襯底B面進行結構化處理，形成位于所述第一襯底B面上的第二納米結構層，其中，所述第二納米結構層包括呈現陣列排布的多個第二結構圓孔；去除第二UV保護層，得到雙面納米壓印結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中北大學，其通訊地址為：030032 山西省太原市尖草坪區學院路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。