恭喜美國亞德諾半導體公司J·G·費奧雷恩扎獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)恭喜美國亞德諾半導體公司申請的專利氮化鎵增強模式器件獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN112673478B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：201980059316.9，技術領域涉及：H10D62/17；該發(fā)明授權氮化鎵增強模式器件是由J·G·費奧雷恩扎;P·斯里瓦斯塔瓦;D·皮埃德拉設計研發(fā)完成，并于2019-09-11向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。
本氮化鎵增強模式器件在說明書摘要公布了：增強模式的化合物半導體場效應晶體管FET包括源極、漏極和位于它們之間的柵極。該晶體管還包括位于柵極下方的氮化鎵基第一異質(zhì)界面和位于所述第一異質(zhì)界面下方的掩埋區(qū)，該掩埋的p型區(qū)域被配置為確定增強模式FET的導通閾值電壓，以允許電流在所述源極和所述漏極之間流動。
本發(fā)明授權氮化鎵增強模式器件在權利要求書中公布了：1.一種增強模式的化合物半導體場效應晶體管，包括：源極、漏極和柵極，所述柵極位于所述源極和所述漏極之間；位于所述柵極下方的溝道層中的基于氮化鎵的第一異質(zhì)界面；和位于在所述溝道層中的所述第一異質(zhì)界面下方的摻雜層中的掩埋區(qū)，該掩埋區(qū)包括激活p型材料并被配置為確定允許電流在所述源極和所述漏極之間流動的增強模式FET導通閾值電壓，其中所述掩埋區(qū)包括：在所述柵極下方橫向延伸的第一p型材料帶，所述第一p型材料帶具有第一摻雜劑濃度，該第一摻雜劑濃度確定第一增強模式FET導通閾值電壓；和在所述柵極下方橫向延伸的第二p型材料帶，所述第二p型材料帶具有第二摻雜劑濃度，以確定第二增強模式FET導通閾值電壓。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" >美國亞德諾半導體公司，其通訊地址為：美國馬薩諸塞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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