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恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司蔡國強獲國家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體裝置及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN111223842B

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:201911175431.0,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L23/535;該發(fā)明授權(quán)半導體裝置及其制造方法是由蔡國強;陳志輝設(shè)計研發(fā)完成,并于2019-11-26向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

半導體裝置及其制造方法在說明書摘要公布了:一種半導體裝置及其制造方法,其中半導體裝置的制造方法包括形成第一導電部件于介電層內(nèi)。選擇性地回蝕第一導電部件。形成蝕刻停止層于第一導電部件和介電層上,蝕刻停止層在第一導電部件上的高度與在介電層上的高度不同。圖案化蝕刻停止層以暴露出第一導電部件的頂表面。橫向蝕刻蝕刻停止層。在第一導電部件上沉積導電材料以形成第二導電部件。

本發(fā)明授權(quán)半導體裝置及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種半導體裝置的制造方法,包括:形成一第一導電部件于一介電層內(nèi);選擇性地回蝕該第一導電部件,以使該第一導電部件全部的一頂表面低于該介電層的一頂表面;形成一蝕刻停止層于該第一導電部件和該介電層上,該蝕刻停止層在該第一導電部件上的高度與在該介電層上的高度不同;圖案化該蝕刻停止層以暴露出該第一導電部件的一頂表面;橫向蝕刻該介電層的該頂表面之下的該蝕刻停止層,以露出該第一導電部件全部的該頂表面;以及在該第一導電部件上沉積一導電材料以形成一第二導電部件。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司,其通訊地址為:中國臺灣新竹市;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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